1.5-T SONOS器件制作工艺方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810984599.5
申请日
2018-08-28
公开(公告)号
CN109119422A
公开(公告)日
2019-01-01
发明(设计)人
许昭昭
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L2711524
IPC分类号
H01L271157
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
SONOS器件制作工艺方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN109166856B ,2019-01-08
[2]
1.5T SONOS闪存器件及工艺方法 [P]. 
张可钢 .
中国专利 :CN110504273A ,2019-11-26
[3]
1.5T SONOS闪存的工艺方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN109119421A ,2019-01-01
[4]
SONOS存储器的制作工艺方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN104992943B ,2015-10-21
[5]
电荷囚禁器件的制作工艺方法 [P]. 
孙亚亚 .
中国专利 :CN101459139A ,2009-06-17
[6]
1.5T SONOS闪存的制造方法 [P]. 
戴树刚 .
中国专利 :CN110620115B ,2019-12-27
[7]
一种1.5T SONOS器件及其制备方法 [P]. 
程晨 ;
王彬 ;
徐凯 ;
吴李瑞 .
中国专利 :CN114335004B ,2022-04-12
[8]
SONOS器件以及SONOS器件制造方法 [P]. 
丁航晨 ;
张强 ;
黄冠群 .
中国专利 :CN106449766A ,2017-02-22
[9]
Nord闪存器件的制作工艺 [P]. 
党扬 ;
张剑 ;
王辉 ;
熊伟 ;
陈华伦 .
中国专利 :CN114334989A ,2022-04-12
[10]
Nord闪存器件的制作工艺 [P]. 
党扬 ;
张剑 ;
王辉 ;
熊伟 ;
陈华伦 .
中国专利 :CN114334989B ,2025-10-03