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1.5-T SONOS器件制作工艺方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810984599.5
申请日
:
2018-08-28
公开(公告)号
:
CN109119422A
公开(公告)日
:
2019-01-01
发明(设计)人
:
许昭昭
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L2711524
IPC分类号
:
H01L271157
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
戴广志
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-01-25
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20180828
2020-08-07
授权
授权
2019-01-01
公开
公开
共 50 条
[1]
SONOS器件制作工艺方法
[P].
许昭昭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许昭昭
.
中国专利
:CN109166856B
,2019-01-08
[2]
1.5T SONOS闪存器件及工艺方法
[P].
张可钢
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张可钢
.
中国专利
:CN110504273A
,2019-11-26
[3]
1.5T SONOS闪存的工艺方法
[P].
许昭昭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许昭昭
.
中国专利
:CN109119421A
,2019-01-01
[4]
SONOS存储器的制作工艺方法
[P].
钱文生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钱文生
.
中国专利
:CN104992943B
,2015-10-21
[5]
电荷囚禁器件的制作工艺方法
[P].
孙亚亚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙亚亚
.
中国专利
:CN101459139A
,2009-06-17
[6]
1.5T SONOS闪存的制造方法
[P].
戴树刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
戴树刚
.
中国专利
:CN110620115B
,2019-12-27
[7]
一种1.5T SONOS器件及其制备方法
[P].
程晨
论文数:
0
引用数:
0
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0
程晨
;
王彬
论文数:
0
引用数:
0
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0
王彬
;
徐凯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐凯
;
吴李瑞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴李瑞
.
中国专利
:CN114335004B
,2022-04-12
[8]
SONOS器件以及SONOS器件制造方法
[P].
丁航晨
论文数:
0
引用数:
0
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0
丁航晨
;
张强
论文数:
0
引用数:
0
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0
张强
;
黄冠群
论文数:
0
引用数:
0
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0
黄冠群
.
中国专利
:CN106449766A
,2017-02-22
[9]
Nord闪存器件的制作工艺
[P].
党扬
论文数:
0
引用数:
0
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0
党扬
;
张剑
论文数:
0
引用数:
0
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0
张剑
;
王辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
王辉
;
熊伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
熊伟
;
陈华伦
论文数:
0
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0
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0
陈华伦
.
中国专利
:CN114334989A
,2022-04-12
[10]
Nord闪存器件的制作工艺
[P].
党扬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
党扬
;
张剑
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张剑
;
王辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王辉
;
熊伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
熊伟
;
陈华伦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈华伦
.
中国专利
:CN114334989B
,2025-10-03
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