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散热DFN半导体器件封装结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011428825.5
申请日
:
2019-02-22
公开(公告)号
:
CN112435975B
公开(公告)日
:
2021-03-02
发明(设计)人
:
马磊
党鹏
杨光
彭小虎
王新刚
庞朋涛
任斌
王妙妙
申请人
:
申请人地址
:
710300 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
IPC主分类号
:
H01L23367
IPC分类号
:
H01L2329
代理机构
:
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
:
王健
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-07-19
授权
授权
2021-03-02
公开
公开
2021-03-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/367 申请日:20190222
共 50 条
[1]
高强度DFN封装半导体器件
[P].
马磊
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马磊
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党鹏
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党鹏
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杨光
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杨光
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彭小虎
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王新刚
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王新刚
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庞朋涛
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庞朋涛
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任斌
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任斌
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王妙妙
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王妙妙
.
中国专利
:CN112435974B
,2021-03-02
[2]
便于散热的DFN封装器件
[P].
马磊
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马磊
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党鹏
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任斌
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王妙妙
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王妙妙
.
中国专利
:CN112563226B
,2021-03-26
[3]
高稳定性DFN封装器件
[P].
马磊
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王妙妙
.
中国专利
:CN109904131B
,2019-06-18
[4]
电子产品用DFN半导体器件的制造方法
[P].
马磊
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王妙妙
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中国专利
:CN112701054B
,2021-04-23
[5]
高导热DFN封装器件的制备方法
[P].
马磊
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王妙妙
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:CN109950158A
,2019-06-28
[6]
QFN封装半导体器件
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王妙妙
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:CN113451235B
,2021-09-28
[7]
耐热型QFN封装半导体器件
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王妙妙
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:CN113451226B
,2021-09-28
[8]
DFN封装半导体器件
[P].
彭兴义
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彭兴义
.
中国专利
:CN211700255U
,2020-10-16
[9]
无引脚DFN封装器件的封装工艺
[P].
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王妙妙
.
中国专利
:CN112420532B
,2021-02-26
[10]
高强度QFN封装结构
[P].
马磊
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