半导体存储器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021152466.0

申请日：

2020-06-19

公开(公告)号：

CN212182325U

公开(公告)日：

2020-12-18

发明(设计)人：

张钦福林昭雄朱家仪童宇诚赖惠先

申请人：

申请人地址：

362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

王宏婧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

张钦福 ;

林昭雄 ;

朱家仪 ;

童宇诚 ;

赖惠先 .

中国专利 :CN111710678B ,2020-09-25

[2]

半导体存储器件 [P].

张钦福 .

中国专利 :CN211789012U ,2020-10-27

[3]

半导体存储器件 [P].

张钦福 ;

林昭维 ;

朱家仪 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN212570997U ,2021-02-19

[4]

半导体存储器件 [P].

陈龙阳 .

中国专利 :CN211017075U ,2020-07-14

[5]

半导体存储器件 [P].

金恩靓 ;

金熙中 ;

金根楠 ;

金大益 ;

金奉秀 ;

黄有商 .

中国专利 :CN107706179B ,2018-02-16

[6]

半导体存储器 [P].

张钦福 ;

林昭雄 ;

朱家仪 ;

童宇诚 ;

赖惠先 .

中国专利 :CN114420694A ,2022-04-29

[7]

半导体存储器 [P].

张钦福 ;

林昭雄 ;

朱家仪 ;

童宇诚 ;

赖惠先 .

中国专利 :CN114420694B ,2025-08-12

[8]

半导体存储器件 [P].

崔祐荣 ;

金熙中 ;

成祉勋 ;

崔佳银 ;

宣潒珪 .

韩国专利 :CN117615571A ,2024-02-27

[9]

半导体存储器件 [P].

崔昌玟 ;

李昌宪 ;

闵柱盛 ;

尹泽硅 .

韩国专利 :CN119562518A ,2025-03-04

[10]

半导体存储器件 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN213781601U ,2021-07-23

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