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半导体存储器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710673839.5
申请日
:
2017-08-07
公开(公告)号
:
CN107706179B
公开(公告)日
:
2018-02-16
发明(设计)人
:
金恩靓
金熙中
金根楠
金大益
金奉秀
黄有商
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L27108
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
王新华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-08-16
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20170807
2018-02-16
公开
公开
2022-12-20
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体存储器件
[P].
张钦福
论文数:
0
引用数:
0
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张钦福
;
林昭雄
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林昭雄
;
朱家仪
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朱家仪
;
童宇诚
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童宇诚
;
赖惠先
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赖惠先
.
中国专利
:CN111710678B
,2020-09-25
[2]
半导体存储器件
[P].
张钦福
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0
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0
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0
张钦福
.
中国专利
:CN211789012U
,2020-10-27
[3]
半导体存储器件
[P].
陈龙阳
论文数:
0
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0
陈龙阳
.
中国专利
:CN211017075U
,2020-07-14
[4]
半导体存储器件
[P].
张钦福
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张钦福
;
林昭雄
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林昭雄
;
朱家仪
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朱家仪
;
童宇诚
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童宇诚
;
赖惠先
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赖惠先
.
中国专利
:CN212182325U
,2020-12-18
[5]
半导体存储器件
[P].
张钦福
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张钦福
;
林昭维
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林昭维
;
朱家仪
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朱家仪
;
童宇诚
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童宇诚
.
中国专利
:CN212570997U
,2021-02-19
[6]
半导体存储器件
[P].
崔祐荣
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
崔祐荣
;
金熙中
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金熙中
;
成祉勋
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
成祉勋
;
崔佳银
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
崔佳银
;
宣潒珪
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
宣潒珪
.
韩国专利
:CN117615571A
,2024-02-27
[7]
半导体存储器件
[P].
崔昌玟
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
崔昌玟
;
李昌宪
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李昌宪
;
闵柱盛
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
闵柱盛
;
尹泽硅
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
尹泽硅
.
韩国专利
:CN119562518A
,2025-03-04
[8]
半导体存储器件
[P].
李周昊
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李周昊
;
柳民泰
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
柳民泰
;
朴荣奭
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴荣奭
;
卞诚载
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
卞诚载
;
宋映槿
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
宋映槿
.
韩国专利
:CN119277777A
,2025-01-07
[9]
半导体存储器件
[P].
朴台镇
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴台镇
;
金熙中
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金熙中
;
朴相在
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴相在
;
李基硕
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李基硕
;
李明东
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李明东
.
韩国专利
:CN118829205A
,2024-10-22
[10]
半导体存储器件
[P].
金俊澈
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金俊澈
;
金冈昱
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金冈昱
.
韩国专利
:CN118284037A
,2024-07-02
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