半导体存储器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710673839.5
申请日
2017-08-07
公开(公告)号
CN107706179B
公开(公告)日
2018-02-16
发明(设计)人
金恩靓 金熙中 金根楠 金大益 金奉秀 黄有商
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
王新华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
半导体相变存储器件 [P]. 
朴哉炫 ;
吴在熙 ;
殷圣豪 .
中国专利 :CN101826544B ,2010-09-08
[22]
半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法 [P]. 
宋昊柱 ;
金硕炫 ;
金永埈 ;
朴晋亨 ;
李蕙兰 ;
金奉秀 ;
金成禹 .
韩国专利 :CN112310080B ,2025-12-30
[23]
半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法 [P]. 
宋昊柱 ;
金硕炫 ;
金永埈 ;
朴晋亨 ;
李蕙兰 ;
金奉秀 ;
金成禹 .
中国专利 :CN112310080A ,2021-02-02
[24]
半导体存储器件以及半导体器件 [P]. 
大泽隆 .
中国专利 :CN1469483A ,2004-01-21
[25]
半导体存储器件 [P]. 
郑在景 ;
柳民泰 ;
薛玹珠 ;
柳成原 ;
李元锡 ;
赵珉熙 ;
许栽硕 .
中国专利 :CN115346983A ,2022-11-15
[26]
半导体存储器件 [P]. 
安浚爀 .
韩国专利 :CN118175836A ,2024-06-11
[27]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101933136A ,2010-12-29
[28]
半导体存储器件 [P]. 
薮内诚 .
中国专利 :CN109390005A ,2019-02-26
[29]
半导体存储器件 [P]. 
金南局 ;
李南宰 ;
韩光熙 ;
金日策 ;
安相铉 .
中国专利 :CN104347636A ,2015-02-11
[30]
半导体存储器件 [P]. 
孙教民 .
中国专利 :CN107993684B ,2018-05-04