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半导体存储器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710673839.5
申请日
:
2017-08-07
公开(公告)号
:
CN107706179B
公开(公告)日
:
2018-02-16
发明(设计)人
:
金恩靓
金熙中
金根楠
金大益
金奉秀
黄有商
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L27108
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
王新华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-08-16
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20170807
2018-02-16
公开
公开
2022-12-20
授权
授权
共 50 条
[21]
半导体相变存储器件
[P].
朴哉炫
论文数:
0
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0
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朴哉炫
;
吴在熙
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吴在熙
;
殷圣豪
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殷圣豪
.
中国专利
:CN101826544B
,2010-09-08
[22]
半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法
[P].
宋昊柱
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
宋昊柱
;
金硕炫
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金硕炫
;
金永埈
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金永埈
;
朴晋亨
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴晋亨
;
李蕙兰
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李蕙兰
;
金奉秀
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金奉秀
;
金成禹
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金成禹
.
韩国专利
:CN112310080B
,2025-12-30
[23]
半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法
[P].
宋昊柱
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宋昊柱
;
金硕炫
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金硕炫
;
金永埈
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金永埈
;
朴晋亨
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朴晋亨
;
李蕙兰
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李蕙兰
;
金奉秀
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金奉秀
;
金成禹
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金成禹
.
中国专利
:CN112310080A
,2021-02-02
[24]
半导体存储器件以及半导体器件
[P].
大泽隆
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大泽隆
.
中国专利
:CN1469483A
,2004-01-21
[25]
半导体存储器件
[P].
郑在景
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郑在景
;
柳民泰
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柳民泰
;
薛玹珠
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薛玹珠
;
柳成原
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柳成原
;
李元锡
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李元锡
;
赵珉熙
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赵珉熙
;
许栽硕
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许栽硕
.
中国专利
:CN115346983A
,2022-11-15
[26]
半导体存储器件
[P].
安浚爀
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
安浚爀
.
韩国专利
:CN118175836A
,2024-06-11
[27]
半导体存储器件
[P].
舛冈富士雄
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舛冈富士雄
;
新井绅太郎
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0
新井绅太郎
.
中国专利
:CN101933136A
,2010-12-29
[28]
半导体存储器件
[P].
薮内诚
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0
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薮内诚
.
中国专利
:CN109390005A
,2019-02-26
[29]
半导体存储器件
[P].
金南局
论文数:
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金南局
;
李南宰
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李南宰
;
韩光熙
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韩光熙
;
金日策
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金日策
;
安相铉
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0
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0
安相铉
.
中国专利
:CN104347636A
,2015-02-11
[30]
半导体存储器件
[P].
孙教民
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0
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0
孙教民
.
中国专利
:CN107993684B
,2018-05-04
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