半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311092736.1

申请日：

2023-08-28

公开(公告)号：

CN118175836A

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

安浚爀

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10B61/00 H10B63/10 H10B63/00

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张霞;周祺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230828
2024-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储器件以及半导体器件 [P].

大泽隆 .

中国专利 :CN1469483A ,2004-01-21

[2]

半导体存储器件 [P].

李炅奂 ;

金容锡 ;

金炫哲 ;

山田悟 ;

柳成原 ;

弘载昊 .

中国专利 :CN113571525A ,2021-10-29

[3]

半导体存储器件 [P].

李炅奂 ;

金容锡 ;

金一权 ;

金熙中 ;

赵珉熙 ;

弘载昊 .

中国专利 :CN114664830A ,2022-06-24

[4]

半导体存储器件 [P].

李进成 ;

林兑旭 ;

金志勋 ;

蔡教锡 .

韩国专利 :CN117881181A ,2024-04-12

[5]

半导体存储器件 [P].

姜玧求 ;

金东泳 ;

金澈虎 ;

朴宰弘 ;

安瑞珍 ;

元硕载 .

韩国专利 :CN120282448A ,2025-07-08

[6]

半导体存储器件 [P].

李炅奂 ;

禹明勋 ;

河大元 .

韩国专利 :CN119156016A ,2024-12-17

[7]

半导体存储器件 [P].

闵柱盛 ;

金鹤善 ;

白在馥 ;

尹康五 ;

尹泽硅 ;

李东镇 ;

李载德 ;

林世真 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN119835945A ,2025-04-15

[8]

半导体存储器件 [P].

和气宏树 .

中国专利 :CN1542859A ,2004-11-03

[9]

半导体存储器件 [P].

姜泰逵 ;

金泰赫 ;

申硕浩 ;

金根楠 ;

朴硕韩 ;

慎重赞 ;

李基硕 .

韩国专利 :CN117956797A ,2024-04-30

[10]

半导体存储器件 [P].

金熙中 ;

赵珉熙 ;

金奉秀 ;

金俊秀 ;

山田悟 ;

李元锡 ;

黄有商 .

韩国专利 :CN109390340B ,2024-03-15

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