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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202110244158.3
申请日：
2021-03-05
公开(公告)号：
CN115020408A
公开(公告)日：
2022-09-06
发明(设计)人：
占康澍 宛强 徐朋辉 刘涛 李森 夏军
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤;陈丽丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-06 公开 公开
2022-09-23 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20210305
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
占康澍 ;
宛强 ;
徐朋辉 ;
刘涛 ;
李森 ;
夏军 .
中国专利 :CN115020408B ,2024-09-24
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴晗 .
中国专利 :CN113517289A ,2021-10-19
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
杨波 .
中国专利 :CN112864096B ,2021-05-28
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴晗 .
中国专利 :CN113517289B ,2024-02-09
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
陆勇 .
中国专利 :CN113517288A ,2021-10-19
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴公一 ;
孙正庆 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN112750783A ,2021-05-04
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李璡一 .
中国专利 :CN113314532A ,2021-08-27
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
陆勇 .
中国专利 :CN113517288B ,2024-03-29
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴公一 ;
孙正庆 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN112750783B ,2025-02-25
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
黄娟娟 ;
白杰 .
中国专利 :CN113675142A ,2021-11-19
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