用于制造半导体器件的相移掩模

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510128564.4

申请日：

2003-03-04

公开(公告)号：

CN1800972B

公开(公告)日：

2006-07-12

发明(设计)人：

渡边健一河野通有難波浩司助川和雄长谷川巧泽田丰治三谷纯一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

G03F100

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-12	公开	公开
2011-03-30	授权	授权
2020-08-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G03F 1/00 登记生效日:20200804 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通半导体股份有限公司变更后权利人:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本神奈川县
2009-01-14	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川变更后权利人:日本东京登记生效日:20081212
2006-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

塚越健太 ;

野泽顺 ;

大久保亮 ;

前田仁 .

日本专利 :CN117916660A ,2024-04-19

[2]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

桥本雅广 ;

宍户博明 .

中国专利 :CN110770652A ,2020-02-07

[3]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 ;

宍户博明 .

日本专利 :CN113383271B ,2024-01-30

[4]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

岩下浩之 ;

松本淳志 ;

野泽顺 .

中国专利 :CN109643056B ,2019-04-16

[5]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 .

日本专利 :CN113242995B ,2024-07-16

[6]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

野泽顺 ;

穐山圭司 .

日本专利 :CN115769144B ,2025-08-05

[7]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 ;

宍户博明 .

中国专利 :CN113383271A ,2021-09-10

[8]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

宍戸博明 ;

前田仁 .

中国专利 :CN114521245A ,2022-05-20

[9]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

大久保亮 ;

堀込康隆 .

中国专利 :CN111758071A ,2020-10-09

[10]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

谷口和丈 ;

前田仁 ;

大久保亮 .

中国专利 :CN111742259A ,2020-10-02

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