射频横向双扩散金属氧化物半导体的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510297235.6

申请日：

2015-06-03

公开(公告)号：

CN106298531A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

马万里闻正锋赵文魁

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

娄冬梅;黄健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	公开	公开
2019-10-15	授权	授权
2022-07-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20220719 变更事项:专利权人变更前权利人:北大方正集团有限公司变更后权利人:深圳方正微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园变更事项:专利权人变更前权利人:深圳方正微电子有限公司
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700777786 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015102972356 申请日:20150603

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN101847659A ,2010-09-29

[2]

射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298536B ,2017-01-04

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件 [P].

I·C·马约尔 ;

A·扎卡 ;

T·赫尔曼 ;

E·M·巴齐齐 .

中国专利 :CN109817714B ,2019-05-28

[4]

集成互补低电压射频横向双扩散金属氧化物半导体 [P].

蔡军 .

中国专利 :CN101573799A ,2009-11-04

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114335156A ,2022-04-12

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101958346B ,2011-01-26

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN113964188A ,2022-01-21

[8]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106206310A ,2016-12-07

[9]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298893B ,2017-01-04

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

杨清尧 ;

廖文毅 ;

苏宏德 ;

张国城 .

中国专利 :CN104659094A ,2015-05-27

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