横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111571321.3

申请日：

2021-12-21

公开(公告)号：

CN113964188A

公开(公告)日：

2022-01-21

发明(设计)人：

余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文

申请人：

申请人地址：

102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

李红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211221
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20220121

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101958346B ,2011-01-26

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114335156A ,2022-04-12

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

曹震 ;

杨银堂 ;

袁嵩 ;

袁小宁 .

中国专利 :CN104733532A ,2015-06-24

[4]

全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114361243B ,2022-04-15

[5]

体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

姚玉恒 .

中国专利 :CN115621316A ,2023-01-17

[6]

超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

袁小宁 ;

董超 ;

范玮 ;

朱樟明 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104124274A ,2014-10-29

[7]

体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

姚玉恒 .

中国专利 :CN115621316B ,2025-07-04

[8]

高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114429983A ,2022-05-03

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

高桦 ;

孙贵鹏 ;

罗泽煌 .

中国专利 :CN111200006A ,2020-05-26

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

桂林春 ;

何丽丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN102088030B ,2011-06-08

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