横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811377880.9

申请日：

2018-11-19

公开(公告)号：

CN111200006A

公开(公告)日：

2020-05-26

发明(设计)人：

高桦孙贵鹏罗泽煌

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2940 H01L2978 H01L21336

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

吴平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-26	公开	公开
2020-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20181119
2021-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

康绍磊 ;

丁帅 ;

王立森 .

中国专利 :CN119342865A ,2025-01-21

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

曹震 ;

杨银堂 ;

袁嵩 ;

袁小宁 .

中国专利 :CN104733532A ,2015-06-24

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114335156A ,2022-04-12

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101958346B ,2011-01-26

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN113964188A ,2022-01-21

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

刘斯扬 ;

卢丽 ;

肖魁 ;

林峰 ;

叶然 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993034A ,2021-06-18

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

桂林春 ;

何丽丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN102088030B ,2011-06-08

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

魏家行 ;

王琪朝 ;

肖魁 ;

王德进 ;

卢丽 ;

杨玲 ;

叶然 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993021A ,2021-06-18

[9]

超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

袁小宁 ;

董超 ;

范玮 ;

朱樟明 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104124274A ,2014-10-29

[10]

全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114361243B ,2022-04-15

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