横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411886718.5

申请日：

2024-12-20

公开(公告)号：

CN119342865A

公开(公告)日：

2025-01-21

发明(设计)人：

康绍磊丁帅王立森

申请人：

晶芯成（北京）科技有限公司合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

IPC主分类号：

H10D30/65

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/10 H10D64/00

代理机构：

北京布瑞知识产权代理有限公司 11505

代理人：

江作舟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/65申请日:20241220
2025-01-21	公开	公开
2025-10-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H10D 30/65申请公布日:20250121

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

高桦 ;

孙贵鹏 ;

罗泽煌 .

中国专利 :CN111200006A ,2020-05-26

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114335156A ,2022-04-12

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

刘斯扬 ;

卢丽 ;

肖魁 ;

林峰 ;

叶然 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993034A ,2021-06-18

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

桂林春 ;

何丽丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN102088030B ,2011-06-08

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

魏家行 ;

王琪朝 ;

肖魁 ;

王德进 ;

卢丽 ;

杨玲 ;

叶然 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993021A ,2021-06-18

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

曹震 ;

杨银堂 ;

袁嵩 ;

袁小宁 .

中国专利 :CN104733532A ,2015-06-24

[7]

高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114429983A ,2022-05-03

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101958346B ,2011-01-26

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN113964188A ,2022-01-21

[10]

超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

袁小宁 ;

董超 ;

范玮 ;

朱樟明 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104124274A ,2014-10-29

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