横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911312979.5

申请日：

2019-12-18

公开(公告)号：

CN112993034A

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

刘斯扬卢丽肖魁林峰叶然孙伟锋时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

虞凌霄

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	公开	公开
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191218

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

桂林春 ;

何丽丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN102088030B ,2011-06-08

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

高桦 ;

孙贵鹏 ;

罗泽煌 .

中国专利 :CN111200006A ,2020-05-26

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

康绍磊 ;

丁帅 ;

王立森 .

中国专利 :CN119342865A ,2025-01-21

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

魏家行 ;

王琪朝 ;

肖魁 ;

王德进 ;

卢丽 ;

杨玲 ;

叶然 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993021A ,2021-06-18

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

曹震 ;

杨银堂 ;

袁嵩 ;

袁小宁 .

中国专利 :CN104733532A ,2015-06-24

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114335156A ,2022-04-12

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101958346B ,2011-01-26

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN113964188A ,2022-01-21

[9]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

宋亮 ;

金华俊 ;

李永顺 .

中国专利 :CN120224737A ,2025-06-27

[10]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103247676B ,2013-08-14

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