横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311813086.5

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN120224737A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

宋亮金华俊李永顺

申请人：

无锡华润上华科技有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H10D30/65

IPC分类号：

H10D62/10 H10D62/60 H10D30/01

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

虞凌霄

法律状态：

公开

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/65申请日:20231226

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103247676B ,2013-08-14

[2]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

黄枫 ;

韩广涛 ;

孙贵鹏 ;

林峰 ;

赵龙杰 ;

林华堂 ;

赵兵 .

中国专利 :CN106158957A ,2016-11-23

[3]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

张广胜 ;

张森 ;

胡小龙 ;

吴肖 .

中国专利 :CN108269841A ,2018-07-10

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

刘斯扬 ;

卢丽 ;

肖魁 ;

林峰 ;

叶然 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993034A ,2021-06-18

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

桂林春 ;

何丽丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN102088030B ,2011-06-08

[6]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法 [P].

韩广涛 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN105990139A ,2016-10-05

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

高桦 ;

孙贵鹏 ;

罗泽煌 .

中国专利 :CN111200006A ,2020-05-26

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

康绍磊 ;

丁帅 ;

王立森 .

中国专利 :CN119342865A ,2025-01-21

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114335156A ,2022-04-12

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101958346B ,2011-01-26

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