横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510169433.4

申请日：

2015-04-10

公开(公告)号：

CN106158957A

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

黄枫韩广涛孙贵鹏林峰赵龙杰林华堂赵兵

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	公开	公开
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692530169 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015101694334 申请日:20150410
2017-11-07	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20171019 变更事项:申请人变更前权利人:无锡华润上华半导体有限公司变更后权利人:无锡华润上华科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更后权利人:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
2019-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

宋亮 ;

金华俊 ;

李永顺 .

中国专利 :CN120224737A ,2025-06-27

[2]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103247676B ,2013-08-14

[3]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法 [P].

韩广涛 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN105990139A ,2016-10-05

[4]

金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

张瞾 ;

康剑 ;

任炜强 ;

李杰 .

中国专利 :CN105428316A ,2016-03-23

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

刘斯扬 ;

卢丽 ;

肖魁 ;

林峰 ;

叶然 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993034A ,2021-06-18

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

桂林春 ;

何丽丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN102088030B ,2011-06-08

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

高桦 ;

孙贵鹏 ;

罗泽煌 .

中国专利 :CN111200006A ,2020-05-26

[8]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

张广胜 ;

张森 ;

胡小龙 ;

吴肖 .

中国专利 :CN108269841A ,2018-07-10

[9]

垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及制备方法 [P].

刘雯娇 ;

杨世红 .

中国专利 :CN113506830A ,2021-10-15

[10]

高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114429983A ,2022-05-03

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