横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210024752.2

申请日：

2012-02-03

公开(公告)号：

CN103247676B

公开(公告)日：

2013-08-14

发明(设计)人：

刘金华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-14	公开	公开
2017-05-17	授权	授权
2013-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101517152361 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012100247522 申请日:20120203

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

宋亮 ;

金华俊 ;

李永顺 .

中国专利 :CN120224737A ,2025-06-27

[2]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

黄枫 ;

韩广涛 ;

孙贵鹏 ;

林峰 ;

赵龙杰 ;

林华堂 ;

赵兵 .

中国专利 :CN106158957A ,2016-11-23

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

刘斯扬 ;

卢丽 ;

肖魁 ;

林峰 ;

叶然 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993034A ,2021-06-18

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

桂林春 ;

何丽丽 ;

王乐 .

中国专利 :CN102088030B ,2011-06-08

[5]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

张广胜 ;

张森 ;

胡小龙 ;

吴肖 .

中国专利 :CN108269841A ,2018-07-10

[6]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法 [P].

韩广涛 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN105990139A ,2016-10-05

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

高桦 ;

孙贵鹏 ;

罗泽煌 .

中国专利 :CN111200006A ,2020-05-26

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

康绍磊 ;

丁帅 ;

王立森 .

中国专利 :CN119342865A ,2025-01-21

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114335156A ,2022-04-12

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101958346B ,2011-01-26

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