横向扩散金属氧化物半导体场效应管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611265906.1

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN108269841A

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

张广胜张森胡小龙吴肖

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

吴平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20161230
2018-07-10	公开	公开
2020-12-15	授权	授权

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

魏家行 ;

王琪朝 ;

肖魁 ;

王德进 ;

卢丽 ;

杨玲 ;

叶然 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993021A ,2021-06-18

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

曹震 ;

杨银堂 ;

袁嵩 ;

袁小宁 .

中国专利 :CN104733532A ,2015-06-24

[3]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法 [P].

韩广涛 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN105990139A ,2016-10-05

[4]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

宋亮 ;

金华俊 ;

李永顺 .

中国专利 :CN120224737A ,2025-06-27

[5]

具RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

祁树坤 ;

张广胜 ;

孙贵鹏 ;

张森 .

中国专利 :CN106158921B ,2016-11-23

[6]

具有RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

祁树坤 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN106571388A ,2017-04-19

[7]

具有RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

祁树坤 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN106816468B ,2017-06-09

[8]

N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

胡小龙 ;

张广胜 ;

卞鹏 ;

张森 .

中国专利 :CN105720099A ,2016-06-29

[9]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103247676B ,2013-08-14

[10]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

黄枫 ;

韩广涛 ;

孙贵鹏 ;

林峰 ;

赵龙杰 ;

林华堂 ;

赵兵 .

中国专利 :CN106158957A ,2016-11-23

← 1 2 3 4 5 →