横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911312979.5

申请日：

2019-12-18

公开(公告)号：

CN112993034A

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

刘斯扬卢丽肖魁林峰叶然孙伟锋时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

虞凌霄

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	公开	公开
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191218

共 50 条

[11]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

黄枫 ;

韩广涛 ;

孙贵鹏 ;

林峰 ;

赵龙杰 ;

林华堂 ;

赵兵 .

中国专利 :CN106158957A ,2016-11-23

[12]

高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114429983A ,2022-05-03

[13]

体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

姚玉恒 .

中国专利 :CN115621316A ,2023-01-17

[14]

超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

袁小宁 ;

董超 ;

范玮 ;

朱樟明 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104124274A ,2014-10-29

[15]

N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

胡小龙 ;

张广胜 ;

卞鹏 ;

张森 .

中国专利 :CN105720099A ,2016-06-29

[16]

体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

姚玉恒 .

中国专利 :CN115621316B ,2025-07-04

[17]

全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114361243B ,2022-04-15

[18]

垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及制备方法 [P].

刘雯娇 ;

杨世红 .

中国专利 :CN113506830A ,2021-10-15

[19]

一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

孙伟锋 ;

陈健 ;

曹鲁 ;

宋慧滨 ;

祝靖 ;

王永平 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN103367453B ,2013-10-23

[20]

一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

李春来 ;

杨银堂 ;

马剑冲 ;

袁嵩 .

中国专利 :CN104009090B ,2014-08-27

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