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横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911312979.5
申请日
:
2019-12-18
公开(公告)号
:
CN112993034A
公开(公告)日
:
2021-06-18
发明(设计)人
:
刘斯扬
卢丽
肖魁
林峰
叶然
孙伟锋
时龙兴
申请人
:
申请人地址
:
210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L21336
H01L2906
代理机构
:
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
虞凌霄
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-18
公开
公开
2021-07-06
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191218
共 50 条
[21]
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
[P].
段宝兴
论文数:
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段宝兴
;
李春来
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李春来
;
董超
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董超
;
范玮
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范玮
;
朱樟明
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朱樟明
;
杨银堂
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0
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0
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杨银堂
.
中国专利
:CN104112774A
,2014-10-22
[22]
高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
[P].
张广胜
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张广胜
;
张森
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张森
;
卞鹏
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卞鹏
;
胡小龙
论文数:
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0
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胡小龙
.
中国专利
:CN105826371A
,2016-08-03
[23]
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
[P].
张春伟
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张春伟
;
李阳
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李阳
;
王靖博
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王靖博
;
岳文静
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岳文静
;
付小倩
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付小倩
;
李志明
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李志明
.
中国专利
:CN107845675B
,2018-03-27
[24]
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
[P].
段宝兴
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段宝兴
;
曹震
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曹震
;
杨银堂
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杨银堂
;
袁嵩
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袁嵩
;
郭海君
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郭海君
.
中国专利
:CN103996715A
,2014-08-20
[25]
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
[P].
段宝兴
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段宝兴
;
袁嵩
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袁嵩
;
董自明
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董自明
;
郭海君
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郭海君
;
杨银堂
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杨银堂
.
中国专利
:CN106876464A
,2017-06-20
[26]
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
[P].
谭咸宁
论文数:
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0
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0
谭咸宁
.
中国专利
:CN101719509B
,2010-06-02
[27]
横向扩散金属氧化物半导体场效应管
[P].
张广胜
论文数:
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张广胜
;
张森
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张森
;
胡小龙
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胡小龙
;
吴肖
论文数:
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0
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吴肖
.
中国专利
:CN108269841A
,2018-07-10
[28]
一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
[P].
段宝兴
论文数:
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段宝兴
;
李春来
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李春来
;
杨银堂
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杨银堂
;
马剑冲
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马剑冲
;
袁嵩
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0
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袁嵩
.
中国专利
:CN104009089B
,2014-08-27
[29]
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法
[P].
刘竹
论文数:
0
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刘竹
;
张立荣
论文数:
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0
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张立荣
.
中国专利
:CN104867832B
,2015-08-26
[30]
横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法
[P].
韩广涛
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韩广涛
;
孙贵鹏
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孙贵鹏
.
中国专利
:CN105990139A
,2016-10-05
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