横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911312979.5
申请日
2019-12-18
公开(公告)号
CN112993034A
公开(公告)日
2021-06-18
发明(设计)人
刘斯扬 卢丽 肖魁 林峰 叶然 孙伟锋 时龙兴
申请人
申请人地址
210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336 H01L2906
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
虞凌霄
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[21]
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
段宝兴 ;
李春来 ;
董超 ;
范玮 ;
朱樟明 ;
杨银堂 .
中国专利 :CN104112774A ,2014-10-22
[22]
高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
张广胜 ;
张森 ;
卞鹏 ;
胡小龙 .
中国专利 :CN105826371A ,2016-08-03
[23]
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
张春伟 ;
李阳 ;
王靖博 ;
岳文静 ;
付小倩 ;
李志明 .
中国专利 :CN107845675B ,2018-03-27
[24]
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
段宝兴 ;
曹震 ;
杨银堂 ;
袁嵩 ;
郭海君 .
中国专利 :CN103996715A ,2014-08-20
[25]
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
段宝兴 ;
袁嵩 ;
董自明 ;
郭海君 ;
杨银堂 .
中国专利 :CN106876464A ,2017-06-20
[26]
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谭咸宁 .
中国专利 :CN101719509B ,2010-06-02
[27]
横向扩散金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
张广胜 ;
张森 ;
胡小龙 ;
吴肖 .
中国专利 :CN108269841A ,2018-07-10
[28]
一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
段宝兴 ;
李春来 ;
杨银堂 ;
马剑冲 ;
袁嵩 .
中国专利 :CN104009089B ,2014-08-27
[29]
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法 [P]. 
刘竹 ;
张立荣 .
中国专利 :CN104867832B ,2015-08-26
[30]
横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法 [P]. 
韩广涛 ;
孙贵鹏 .
中国专利 :CN105990139A ,2016-10-05