横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911312979.5

申请日：

2019-12-18

公开(公告)号：

CN112993034A

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

刘斯扬卢丽肖魁林峰叶然孙伟锋时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

虞凌霄

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	公开	公开
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191218

共 50 条

[41]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN106486546B ,2017-03-08

[42]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN103474462A ,2013-12-25

[43]

射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298536B ,2017-01-04

[44]

横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

张睿钧 ;

杜尚晖 .

中国专利 :CN104576729B ,2015-04-29

[45]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN106469755A ,2017-03-01

[46]

横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

张睿钧 .

中国专利 :CN109638065A ,2019-04-16

[47]

横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

张睿钧 .

中国专利 :CN104518022A ,2015-04-15

[48]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN110504318A ,2019-11-26

[49]

带有电位浮动型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

张春伟 ;

李志明 ;

李阳 ;

李威 ;

岳文静 ;

付小倩 ;

王靖博 .

中国专利 :CN107871778A ,2018-04-03

[50]

N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

马剑冲 ;

杨银堂 ;

李春来 ;

袁嵩 .

中国专利 :CN104733533B ,2015-06-24

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