全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及制作方法

被引：0

申请号：

CN202210275705.9

申请日：

2022-03-21

公开(公告)号：

CN114361243B

公开(公告)日：

2022-04-15

发明(设计)人：

余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文

申请人：

申请人地址：

102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2908 H01L29423 H01L2978 H01L21285 H01L21336

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

高英英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220321
2022-04-15	公开	公开
2022-06-28	授权	授权

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114335156A ,2022-04-12

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101958346B ,2011-01-26

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN113964188A ,2022-01-21

[4]

超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

袁小宁 ;

董超 ;

范玮 ;

朱樟明 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104124274A ,2014-10-29

[5]

高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114429983A ,2022-05-03

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

高桦 ;

孙贵鹏 ;

罗泽煌 .

中国专利 :CN111200006A ,2020-05-26

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

曹震 ;

杨银堂 ;

袁嵩 ;

袁小宁 .

中国专利 :CN104733532A ,2015-06-24

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法 [P].

康绍磊 ;

丁帅 ;

王立森 .

中国专利 :CN119342865A ,2025-01-21

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

魏家行 ;

王琪朝 ;

肖魁 ;

王德进 ;

卢丽 ;

杨玲 ;

叶然 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993021A ,2021-06-18

[10]

体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

姚玉恒 .

中国专利 :CN115621316A ,2023-01-17

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