半导体结构及形成集成电路结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810920693.4

申请日：

2018-08-14

公开(公告)号：

CN110416303A

公开(公告)日：

2019-11-05

发明(设计)人：

林大钧许博钦潘国华廖忠志林志勇

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21762 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180814
2019-11-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构和形成集成电路结构的方法 [P].

赖韦仁 ;

陈燕铭 ;

李宗霖 .

中国专利 :CN110729247B ,2020-01-24

[2]

半导体结构和形成集成电路结构的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN108807380A ,2018-11-13

[3]

集成电路及形成半导体结构的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN111863805A ,2020-10-30

[4]

集成电路及形成半导体结构的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN111863805B ,2024-12-03

[5]

半导体结构、集成电路及形成半导体结构的方法 [P].

赖韦安 ;

彭士玮 ;

林威呈 ;

曾健庭 .

中国专利 :CN114927519A ,2022-08-19

[6]

半导体结构以及形成集成电路结构的方法 [P].

黄禹轩 ;

蔡庆威 ;

钟政庭 ;

庄正吉 ;

张尚文 .

中国专利 :CN113053887B ,2025-01-07

[7]

半导体结构以及形成集成电路结构的方法 [P].

黄禹轩 ;

蔡庆威 ;

钟政庭 ;

庄正吉 ;

张尚文 .

中国专利 :CN113053887A ,2021-06-29

[8]

半导体结构和形成集成电路结构的方法 [P].

江国诚 ;

朱熙甯 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113053820A ,2021-06-29

[9]

半导体结构和形成集成电路结构的方法 [P].

江国诚 ;

朱熙甯 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113053820B ,2024-12-24

[10]

半导体结构和形成集成电路的方法 [P].

徐国修 ;

林祐宽 ;

张峰铭 ;

苏信文 ;

洪连嵘 ;

王屏薇 .

中国专利 :CN110838485B ,2020-02-25

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