半导体结构和形成集成电路结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711269364.X

申请日：

2017-12-05

公开(公告)号：

CN108807380A

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

廖忠志

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L218234

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-13	公开	公开
2018-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20171205
2020-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构和形成集成电路结构的方法 [P].

赖韦仁 ;

陈燕铭 ;

李宗霖 .

中国专利 :CN110729247B ,2020-01-24

[2]

半导体结构及形成集成电路结构的方法 [P].

林大钧 ;

许博钦 ;

潘国华 ;

廖忠志 ;

林志勇 .

中国专利 :CN110416303A ,2019-11-05

[3]

半导体结构和形成集成电路结构的方法 [P].

江国诚 ;

朱熙甯 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113053820A ,2021-06-29

[4]

半导体结构和形成集成电路结构的方法 [P].

江国诚 ;

朱熙甯 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113053820B ,2024-12-24

[5]

半导体结构以及形成集成电路结构的方法 [P].

黄禹轩 ;

蔡庆威 ;

钟政庭 ;

庄正吉 ;

张尚文 .

中国专利 :CN113053887B ,2025-01-07

[6]

半导体结构以及形成集成电路结构的方法 [P].

黄禹轩 ;

蔡庆威 ;

钟政庭 ;

庄正吉 ;

张尚文 .

中国专利 :CN113053887A ,2021-06-29

[7]

半导体结构和形成集成电路的方法 [P].

徐国修 ;

林祐宽 ;

张峰铭 ;

苏信文 ;

洪连嵘 ;

王屏薇 .

中国专利 :CN110838485B ,2020-02-25

[8]

半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法 [P].

陈胜捷 ;

刘铭棋 .

中国专利 :CN112530974B ,2024-10-29

[9]

半导体结构、集成电路及形成半导体结构的方法 [P].

赖韦安 ;

彭士玮 ;

林威呈 ;

曾健庭 .

中国专利 :CN114927519A ,2022-08-19

[10]

半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法 [P].

陈胜捷 ;

刘铭棋 .

中国专利 :CN112530974A ,2021-03-19

← 1 2 3 4 5 →