一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011026521.6

申请日：

2020-09-25

公开(公告)号：

CN112195518A

公开(公告)日：

2021-01-08

发明(设计)人：

罗福敏胡昌勇李勇

申请人：

申请人地址：

404040 重庆市万州区万州经开区高峰园B02

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

张晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20200925
2021-01-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉 [P].

罗福敏 ;

胡昌勇 ;

李勇 .

中国专利 :CN213925130U ,2021-08-10

[2]

一种VGF法生长单晶的单晶炉结构 [P].

陈娅君 ;

刘汉保 ;

普世坤 ;

柳廷龙 ;

叶晓达 ;

柳廷芳 ;

黄平 ;

吕春富 ;

张春珊 ;

王顺金 ;

陈维迪 .

中国专利 :CN213507285U ,2021-06-22

[3]

低位错INP单晶生长用的单晶炉 [P].

袁韶阳 ;

冯佳峰 ;

于会永 ;

赵春锋 ;

赵中阳 ;

刘钊 ;

张艳辉 ;

荆爱明 .

中国专利 :CN218026460U ,2022-12-13

[4]

一种VB法生长磷化铟单晶的装置 [P].

李世强 ;

柳廷龙 ;

叶晓达 ;

赵兴凯 ;

魏荣贤 ;

黄国勇 ;

钱俊兵 .

中国专利 :CN220433075U ,2024-02-02

[5]

一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法 [P].

陈娅君 ;

刘汉保 ;

普世坤 ;

柳廷龙 ;

叶晓达 ;

柳廷芳 ;

黄平 ;

吕春富 ;

张春珊 ;

王顺金 ;

陈维迪 .

中国专利 :CN112176398A ,2021-01-05

[6]

直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉 [P].

董汝昆 ;

惠峰 ;

李学洋 ;

普世坤 ;

钟文 ;

赵燕 ;

陈代凤 ;

张鹏 ;

滕文 ;

李长林 ;

林作亮 .

中国专利 :CN209039630U ,2019-06-28

[7]

一种提高直拉法单晶生长速度的单晶炉 [P].

吴亮 ;

黄小卫 ;

孟召标 ;

刘辉 ;

伍耀川 ;

陈龙 .

中国专利 :CN103710742A ,2014-04-09

[8]

一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构 [P].

包文东 ;

陈吉堃 ;

陈诺夫 ;

惠峰 ;

陆贵兵 ;

普世坤 ;

林作亮 ;

胡文瑞 .

中国专利 :CN212103061U ,2020-12-08

[9]

锗单晶生长炉 [P].

董汝昆 ;

李武芳 ;

祝永成 ;

何永彬 ;

高云浩 ;

金之生 ;

杨小瑞 ;

权忠朝 .

中国专利 :CN205774917U ,2016-12-07

[10]

单晶炉及单晶生长系统 [P].

石鹏飞 .

中国专利 :CN217948339U ,2022-12-02

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