一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011139769.3

申请日：

2020-10-22

公开(公告)号：

CN112176398A

公开(公告)日：

2021-01-05

发明(设计)人：

陈娅君刘汉保普世坤柳廷龙叶晓达柳廷芳黄平吕春富张春珊王顺金陈维迪

申请人：

申请人地址：

650000 云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2940

代理机构：

昆明祥和知识产权代理有限公司 53114

代理人：

董昆生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20201022
2021-01-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种VGF法生长单晶的单晶炉结构 [P].

陈娅君 ;

刘汉保 ;

普世坤 ;

柳廷龙 ;

叶晓达 ;

柳廷芳 ;

黄平 ;

吕春富 ;

张春珊 ;

王顺金 ;

陈维迪 .

中国专利 :CN213507285U ,2021-06-22

[2]

一种VGF法生长单晶的循环水温控装置 [P].

陈娅君 ;

刘汉保 ;

普世坤 ;

柳廷龙 ;

叶晓达 ;

柳廷芳 ;

黄平 ;

吕春富 ;

张春珊 ;

王顺金 ;

陈维迪 .

中国专利 :CN213507286U ,2021-06-22

[3]

一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉 [P].

罗福敏 ;

胡昌勇 ;

李勇 .

中国专利 :CN112195518A ,2021-01-08

[4]

一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉 [P].

罗福敏 ;

胡昌勇 ;

李勇 .

中国专利 :CN213925130U ,2021-08-10

[5]

一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构 [P].

包文东 ;

陈吉堃 ;

陈诺夫 ;

惠峰 ;

陆贵兵 ;

普世坤 ;

林作亮 ;

胡文瑞 .

中国专利 :CN212103061U ,2020-12-08

[6]

锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法 [P].

董汝昆 ;

李武芳 ;

祝永成 ;

何永彬 ;

高云浩 ;

金之生 ;

杨小瑞 ;

权忠朝 .

中国专利 :CN105951170A ,2016-09-21

[7]

一种VGF法生长单晶的循环水温控装置及应用 [P].

陈娅君 ;

刘汉保 ;

普世坤 ;

柳廷龙 ;

叶晓达 ;

柳廷芳 ;

黄平 ;

吕春富 ;

张春珊 ;

王顺金 ;

陈维迪 .

中国专利 :CN112176397A ,2021-01-05

[8]

单晶生长炉和提拉单晶的方法 [P].

赵胜 ;

陈林军 ;

武晓峰 .

中国专利 :CN120082968A ,2025-06-03

[9]

一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置 [P].

韩家贤 ;

韦华 ;

何永彬 ;

王顺金 ;

吕春富 ;

李国芳 ;

刘吉才 ;

唐康中 .

中国专利 :CN217231011U ,2022-08-19

[10]

磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法 [P].

赵兴凯 ;

邱锋 ;

权忠朝 ;

韦华 ;

叶晓达 ;

柳旭 ;

徐仁勇 ;

刘文斌 ;

韩家贤 ;

王顺金 ;

李国芳 .

中国专利 :CN114808130A ,2022-07-29

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