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具有反向续流能力的集成二极管的GaN HEMT纵向器件

被引：0
申请号：
CN202211031103.5
申请日：
2022-08-26
公开(公告)号：
CN115332334A
公开(公告)日：
2022-11-11
发明(设计)人：
李泽宏 叶钰麒 赵一尚 任敏
申请人：
申请人地址：
611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L29872
代理机构：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232
代理人：
敖欢
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-29 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220826
2022-11-11 公开 公开
共 50 条
[1]
一种集成续流二极管的GaN HEMT器件 [P]. 
罗小蓉 ;
廖德尊 ;
张成 ;
邓思宇 ;
魏杰 ;
贾艳江 ;
孙涛 ;
郗路凡 .
中国专利 :CN113690311A ,2021-11-23
[2]
一种具有集成续流二极管的纵向GaN MOS [P]. 
罗小蓉 ;
孙涛 ;
欧阳东法 ;
郗路凡 ;
杨超 ;
邓思宇 ;
魏杰 ;
张波 .
中国专利 :CN111146292B ,2020-05-12
[3]
一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件 [P]. 
罗小蓉 ;
贾艳江 ;
孙涛 ;
张成 ;
邓思宇 ;
魏杰 ;
廖德尊 ;
郗路凡 ;
赵智家 .
中国专利 :CN113594248A ,2021-11-02
[4]
一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管 [P]. 
罗小蓉 ;
欧阳东法 ;
郗路凡 ;
孙涛 ;
杨超 ;
邓思宇 ;
魏杰 ;
张波 .
中国专利 :CN111223937A ,2020-06-02
[5]
一种集成续流沟道二极管的垂直GaN MOSFET [P]. 
魏杰 ;
廖德尊 ;
张成 ;
邓思宇 ;
贾艳江 ;
孙涛 ;
郗路凡 ;
赵智家 ;
罗小蓉 .
中国专利 :CN114447101A ,2022-05-06
[6]
一种集成反向二极管的GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
江希 ;
潘超凡 ;
袁嵩 ;
严兆恒 ;
赵云宣 ;
弓小武 .
中国专利 :CN119317145B ,2025-11-04
[7]
一种集成反向二极管的GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
江希 ;
潘超凡 ;
袁嵩 ;
严兆恒 ;
赵云宣 ;
弓小武 .
中国专利 :CN119317145A ,2025-01-14
[8]
集成续流二极管的功率半导体器件 [P]. 
顾悦吉 ;
闻永祥 ;
刘琛 ;
刘慧勇 .
中国专利 :CN203607411U ,2014-05-21
[9]
集成续流二极管的功率半导体器件 [P]. 
顾悦吉 ;
闻永祥 ;
刘琛 ;
刘慧勇 .
中国专利 :CN203644779U ,2014-06-11
[10]
具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件 [P]. 
廖航 ;
周春华 .
中国专利 :CN211529952U ,2020-09-18
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