学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110879952.5
申请日：
2021-08-02
公开(公告)号：
CN113594248A
公开(公告)日：
2021-11-02
发明(设计)人：
罗小蓉 贾艳江 孙涛 张成 邓思宇 魏杰 廖德尊 郗路凡 赵智家
申请人：
申请人地址：
611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L29872
代理机构：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232
代理人：
孙一峰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-11-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210802
2021-11-02 公开 公开
共 50 条
[1]
一种集成续流二极管的GaN HEMT器件 [P]. 
罗小蓉 ;
廖德尊 ;
张成 ;
邓思宇 ;
魏杰 ;
贾艳江 ;
孙涛 ;
郗路凡 .
中国专利 :CN113690311A ,2021-11-23
[2]
具有反向续流能力的集成二极管的GaN HEMT纵向器件 [P]. 
李泽宏 ;
叶钰麒 ;
赵一尚 ;
任敏 .
中国专利 :CN115332334A ,2022-11-11
[3]
一种双异质结GaN RC-HEMT器件 [P]. 
魏杰 ;
贾艳江 ;
孙涛 ;
郗路凡 ;
邓思宇 ;
赵智家 ;
张成 ;
廖德尊 ;
罗小蓉 .
中国专利 :CN114613856A ,2022-06-10
[4]
一种具有集成续流二极管的纵向GaN MOS [P]. 
罗小蓉 ;
孙涛 ;
欧阳东法 ;
郗路凡 ;
杨超 ;
邓思宇 ;
魏杰 ;
张波 .
中国专利 :CN111146292B ,2020-05-12
[5]
一种集成续流沟道二极管的垂直GaN MOSFET [P]. 
魏杰 ;
廖德尊 ;
张成 ;
邓思宇 ;
贾艳江 ;
孙涛 ;
郗路凡 ;
赵智家 ;
罗小蓉 .
中国专利 :CN114447101A ,2022-05-06
[6]
一种具有集成二极管的异质结器件 [P]. 
汪志刚 ;
陈协助 .
中国专利 :CN105070752B ,2015-11-18
[7]
一种具有集成雪崩二极管结构的p-GaN HEMT器件 [P]. 
王茁成 ;
陈万军 ;
孙瑞泽 ;
陈资文 ;
俞程 ;
刘超 ;
张波 .
中国专利 :CN117393562A ,2024-01-12
[8]
一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管 [P]. 
罗小蓉 ;
欧阳东法 ;
郗路凡 ;
孙涛 ;
杨超 ;
邓思宇 ;
魏杰 ;
张波 .
中国专利 :CN111223937A ,2020-06-02
[9]
一种GaN异质结功率二极管 [P]. 
周琦 ;
汪玲 ;
鲍旭 ;
牟靖宇 ;
施媛媛 ;
尉中杰 ;
张波 .
中国专利 :CN103872145A ,2014-06-18
[10]
具有续流二极管的电路装置 [P]. 
清水悠佳 ;
石川胜美 ;
长洲正浩 ;
津川大 .
中国专利 :CN101290927B ,2008-10-22
12345