多重闸极介电层的结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03153952.1

申请日：

2003-08-21

公开(公告)号：

CN1516242A

公开(公告)日：

2004-07-28

发明(设计)人：

杨育佳杨富量胡正明

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L2131 H01L218234 H01L2978

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王一斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-07-28	公开	公开
2004-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

双闸极介电层及其制造方法 [P].

侯拓宏 ;

王铭芳 ;

陈启群 ;

杨智伟 ;

姚亮吉 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1505107A ,2004-06-16

[2]

多重栅极介电层的结构 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2751446Y ,2006-01-11

[3]

电容介电层结构及其制造方法 [P].

巫勇贤 ;

庄慧伶 .

中国专利 :CN100338745C ,2005-06-22

[4]

介电层的制造方法 [P].

史望澄 ;

彭冠杰 ;

赵兰璘 .

中国专利 :CN1284745A ,2001-02-21

[5]

层间介电层、互连结构及其制造方法 [P].

程永亮 ;

王娉婷 ;

高关且 ;

杨承 ;

朱虹 ;

吴金刚 .

中国专利 :CN101740473B ,2010-06-16

[6]

介电层的沉积方法 [P].

李正贤 ;

闵约赛 ;

曹永真 .

中国专利 :CN100356518C ,2004-01-21

[7]

双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法 [P].

余振华 ;

卢永诚 ;

郑培仁 ;

周家政 ;

林耕竹 ;

柯忠祁 ;

包天一 ;

郑双铭 .

中国专利 :CN100539075C ,2008-07-23

[8]

介电薄膜、介电层结构及制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107527806A ,2017-12-29

[9]

介电层的制造方法 [P].

林锡坚 ;

何青原 ;

萧国坤 .

中国专利 :CN101140880A ,2008-03-12

[10]

闸栅极介电层的制造方法 [P].

李威养 ;

于雄飞 ;

陈建豪 ;

侯承浩 ;

李达元 ;

许光源 .

中国专利 :CN102222611A ,2011-10-19

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