介电层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99117965.X

申请日：

1999-08-17

公开(公告)号：

CN1284745A

公开(公告)日：

2001-02-21

发明(设计)人：

史望澄彭冠杰赵兰璘

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2170

IPC分类号：

H01L218242 H01L213205

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-10	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/70 申请日:19990817 授权公告日:20031126
2001-02-21	公开	公开
2001-05-16	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2003-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

电容介电层结构及其制造方法 [P].

巫勇贤 ;

庄慧伶 .

中国专利 :CN100338745C ,2005-06-22

[2]

介电层的沉积方法 [P].

李正贤 ;

闵约赛 ;

曹永真 .

中国专利 :CN100356518C ,2004-01-21

[3]

闸栅极介电层的制造方法 [P].

李威养 ;

于雄飞 ;

陈建豪 ;

侯承浩 ;

李达元 ;

许光源 .

中国专利 :CN102222611A ,2011-10-19

[4]

介层窗的制造方法 [P].

罗吉进 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN1229271A ,1999-09-22

[5]

双闸极介电层及其制造方法 [P].

侯拓宏 ;

王铭芳 ;

陈启群 ;

杨智伟 ;

姚亮吉 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1505107A ,2004-06-16

[6]

闸介电层的制作方法 [P].

苏国辉 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102760658A ,2012-10-31

[7]

多重闸极介电层的结构及其制造方法 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1516242A ,2004-07-28

[8]

含碳介电层的制造方法 [P].

李连忠 ;

卢永诚 ;

柯忠祁 .

中国专利 :CN1437226A ,2003-08-20

[9]

双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法 [P].

余振华 ;

卢永诚 ;

郑培仁 ;

周家政 ;

林耕竹 ;

柯忠祁 ;

包天一 ;

郑双铭 .

中国专利 :CN100539075C ,2008-07-23

[10]

金属层间介电层及其制造方法 [P].

何青原 .

中国专利 :CN1229268A ,1999-09-22

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