氮化物半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410032116.X

申请日：

1999-09-16

公开(公告)号：

CN1533002A

公开(公告)日：

2004-09-29

发明(设计)人：

木户口勋石桥明彦粂雅博伴雄三郎上山智

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01L3300 C30B2514

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-29	公开	公开
2004-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-23	授权	授权
2014-11-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588051773 IPC(主分类):H01S 5/343 专利号:ZL200410032116X 申请日:19990916 授权公告日:20060823 终止日期:20130916

共 50 条

[1]

氮化物半导体器件制造方法 [P].

木户口勋 ;

石桥明彦 ;

粂雅博 ;

伴雄三郎 ;

上山智 .

中国专利 :CN1170347C ,2001-10-03

[2]

氮化物半导体器件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1312784C ,2004-12-15

[3]

氮化物半导体器件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1167137C ,2002-04-17

[4]

氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

李昔宪 .

中国专利 :CN101027791B ,2007-08-29

[5]

氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件 [P].

中畑成二 ;

上松康二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN100468627C ,2007-03-14

[6]

氮化物半导体器件和氮化物半导体器件的制造方法 [P].

藤田耕一郎 .

中国专利 :CN105074876A ,2015-11-18

[7]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

小林俊雅 ;

簗嶋克典 ;

山口恭司 ;

中岛博 .

中国专利 :CN1460284A ,2003-12-03

[8]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN101465400B ,2009-06-24

[9]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1132942A ,1996-10-09

[10]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1790761A ,2006-06-21

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