氮化物半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410032116.X

申请日：

1999-09-16

公开(公告)号：

CN1533002A

公开(公告)日：

2004-09-29

发明(设计)人：

木户口勋石桥明彦粂雅博伴雄三郎上山智

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01L3300 C30B2514

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-29	公开	公开
2004-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-23	授权	授权
2014-11-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588051773 IPC(主分类):H01S 5/343 专利号:ZL200410032116X 申请日:19990916 授权公告日:20060823 终止日期:20130916

共 50 条

[21]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

[22]

氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 [P].

后藤修 ;

浅野竹春 ;

竹谷元伸 ;

簗克典 ;

池田真朗 ;

涉谷胜义 ;

铃木康彦 .

中国专利 :CN1296970C ,2003-09-24

[23]

氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 [P].

后藤修 ;

浅野竹春 ;

竹谷元伸 ;

簗嵨克典 ;

池田真朗 ;

涉谷胜义 ;

铃木康彦 .

中国专利 :CN1574228A ,2005-02-02

[24]

氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法 [P].

盐田伦也 ;

洪洪 ;

黄钟日 ;

佐藤泰辅 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102790147B ,2012-11-21

[25]

制造氮化物半导体器件的方法 [P].

大川峰司 ;

渡边健太 .

中国专利 :CN115497826A ,2022-12-20

[26]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

曹凯 ;

张雷 ;

朱益峰 ;

黄敬源 ;

周春华 .

中国专利 :CN114175236A ,2022-03-11

[27]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN102280817A ,2011-12-14

[28]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN101179178A ,2008-05-14

[29]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

徐廷勋 ;

张峻豪 ;

金钟旭 .

中国专利 :CN1700413A ,2005-11-23

[30]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN101540477A ,2009-09-23

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