多孔g-C3N4/FeTa光催化材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910451841.7

申请日：

2019-05-28

公开(公告)号：

CN110152709A

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

谢焕玲

申请人：

申请人地址：

400054 重庆市巴南区李家沱红光大道69号

IPC主分类号：

B01J2724

IPC分类号：

B01J3708 B01D5386 B01D5300 C02F130

代理机构：

重庆信航知识产权代理有限公司 50218

代理人：

穆祥维

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	授权	授权
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 27/24 申请日:20190528
2019-08-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种纳米TiO2/g-C3N4光催化材料的制备方法 [P].

王旭 ;

罗驹华 ;

王珏 ;

管浩 ;

张梅 ;

张运祥 ;

秦茜 .

中国专利 :CN113828294A ,2021-12-24

[2]

一种制备WO3/g-C3N4复合光催化材料的方法 [P].

柴波 ;

王敏 ;

任占冬 ;

朱玉婵 .

中国专利 :CN105536839A ,2016-05-04

[3]

一种高活性的g-C3N4光催化材料及其制备方法和应用 [P].

刘世兴 ;

张明怡 ;

王茜 ;

陶然 ;

范晓星 .

中国专利 :CN113019418A ,2021-06-25

[4]

多孔g-C3N4半导体材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

蔡奇风 ;

沈建超 ;

冯宇 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104310321A ,2015-01-28

[5]

三维多孔g-C3N4材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104292236A ,2015-01-21

[6]

g-C3N4/BiOBr光催化降解卡马西平的方法 [P].

王丽君 ;

梁兰兰 ;

高生旺 ;

夏训峰 ;

朱建超 ;

香宝 ;

刘阳 ;

程成 .

中国专利 :CN109046433A ,2018-12-21

[7]

Ag/g-C3N4复合可见光催化剂的制备 [P].

刘建军 ;

秦海玉 ;

左胜利 .

中国专利 :CN108499587A ,2018-09-07

[8]

一种CoWO4/g-C3N4复合光催化材料的制备方法 [P].

李忠玉 ;

方钰 ;

徐松 ;

冯楚君 ;

梁倩 ;

周满 .

中国专利 :CN115318326A ,2022-11-11

[9]

Si-TiO2/g-C3N4三元复合光催化材料及其制备方法 [P].

赵俭波 ;

姜建辉 ;

张园 ;

郝勇胜 ;

颜菀旻 .

中国专利 :CN113941357A ,2022-01-18

[10]

氧掺杂多孔的g-C3N4光催化剂及其制备方法与应用 [P].

郭强 ;

韩东远 ;

范晓星 ;

宋朋 ;

韩宇 ;

王绩伟 .

中国专利 :CN108568307B ,2018-09-25

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