三维多孔g-C3N4材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410468720.0
申请日
2014-09-15
公开(公告)号
CN104292236A
公开(公告)日
2015-01-21
发明(设计)人
杨辉 沈建超 申乾宏 冯宇 蔡奇风
申请人
申请人地址
310027 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
IPC主分类号
C07D48722
IPC分类号
B01J3106 B01J3510
代理机构
杭州中成专利事务所有限公司 33212
代理人
周世骏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
TiO2/多孔g-C3N4复合材料的制备方法 [P]. 
沈建超 ;
申乾宏 ;
杨辉 ;
冯宇 ;
蔡奇风 .
中国专利 :CN104209136A ,2014-12-17
[2]
多孔g-C3N4半导体材料的制备方法 [P]. 
杨辉 ;
蔡奇风 ;
沈建超 ;
冯宇 ;
申乾宏 .
中国专利 :CN104310321A ,2015-01-28
[3]
InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法 [P]. 
杨辉 ;
沈建超 ;
申乾宏 ;
冯宇 ;
蔡奇风 .
中国专利 :CN104307550A ,2015-01-28
[4]
多孔g-C3N4/AgBr纳米复合材料的制备方法 [P]. 
杨辉 ;
冯宇 ;
沈建超 ;
蔡奇风 ;
申乾宏 .
中国专利 :CN104289244A ,2015-01-21
[5]
g-C3N4溶胶的制备方法 [P]. 
申乾宏 ;
王辉 ;
庞雅 ;
盛建松 ;
吴春春 ;
徐江 ;
杨辉 .
中国专利 :CN107954405A ,2018-04-24
[6]
多孔g-C3N4/FeTa光催化材料的制备方法 [P]. 
谢焕玲 .
中国专利 :CN110152709A ,2019-08-23
[7]
三维多孔Co-C3N4的制备方法 [P]. 
周军双 ;
位阔 ;
戴文静 ;
王静 ;
高发明 .
中国专利 :CN110120514A ,2019-08-13
[8]
g-C3N4及其制备方法和应用 [P]. 
周升 ;
舒歌平 ;
杨葛灵 ;
章序文 ;
高山松 ;
王洪学 .
中国专利 :CN111992234A ,2020-11-27
[9]
一种基于纤维素的三维多孔g‑C3N4/C气凝胶及其制备方法 [P]. 
刘琳 ;
钱周琦 ;
姚菊明 .
中国专利 :CN106513027A ,2017-03-22
[10]
可见光响应的管状g-C3N4的制备方法 [P]. 
江润仁 ;
陆光华 ;
周超 ;
包旭辉 ;
徐鑫磊 .
中国专利 :CN110697667A ,2020-01-17