TiO2/多孔g-C3N4复合材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410469406.4

申请日：

2014-09-15

公开(公告)号：

CN104209136A

公开(公告)日：

2014-12-17

发明(设计)人：

沈建超申乾宏杨辉冯宇蔡奇风

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

B01J2724

IPC分类号：

B01J3504

代理机构：

杭州中成专利事务所有限公司 33212

代理人：

周世骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594982278 IPC(主分类):B01J 27/24 专利申请号:2014104694064 申请日:20140915
2017-09-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101760004304 IPC(主分类):B01J 27/24 专利申请号:2014104694064 申请公布日:20141217
2014-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

三维多孔g-C3N4材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104292236A ,2015-01-21

[2]

InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104307550A ,2015-01-28

[3]

多孔g-C3N4/AgBr纳米复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

冯宇 ;

沈建超 ;

蔡奇风 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104289244A ,2015-01-21

[4]

一种新型MXene/TiO2/g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

叶晓云 ;

张玉梅 ;

顾芳晓 ;

王乾廷 ;

吴益凡 ;

陈龙 ;

马立安 ;

刘雪华 ;

陈文哲 .

中国专利 :CN113413902A ,2021-09-21

[5]

多孔g-C3N4半导体材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

蔡奇风 ;

沈建超 ;

冯宇 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104310321A ,2015-01-28

[6]

一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料的制备方法及其应用 [P].

范晓星 ;

王晓娜 ;

蔡鹤 ;

成祥祥 ;

刘京 ;

韩宇 ;

王绩伟 .

中国专利 :CN109626422A ,2019-04-16

[7]

TiO2/InVO4纳米结复合材料的制备方法 [P].

申乾宏 ;

杨辉 ;

沈建超 ;

冯宇 ;

蔡奇风 ;

盛建松 ;

程笛 .

中国专利 :CN103599770A ,2014-02-26

[8]

g-C3N4复合TiO2纳米线的制备方法 [P].

刘世凯 ;

周淑慧 ;

董浩永 .

中国专利 :CN109772417A ,2019-05-21

[9]

Ni-NiO/g-C3N4纳米复合材料的制备方法 [P].

张平 ;

方坤 ;

林佳宏 ;

米海刚 ;

韩立娟 ;

安召 .

中国专利 :CN110142059B ,2019-08-20

[10]

g-C3N4纳米颗粒/花状BiOI复合材料的制备方法 [P].

申乾宏 ;

尤增宇 ;

于洋 ;

王辉 ;

陈昊 ;

杨辉 .

中国专利 :CN107876074B ,2018-04-06

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