一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811510058.5

申请日：

2018-12-11

公开(公告)号：

CN109626422A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

范晓星王晓娜蔡鹤成祥祥刘京韩宇王绩伟

申请人：

申请人地址：

110000 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号

IPC主分类号：

C01G23053

IPC分类号：

C01B21082 B82Y3000 C25B104 C25B1104 C25D1302

代理机构：

沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207

代理人：

胡洋

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G 23/053 申请公布日:20190416
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 23/053 申请日:20181211
2019-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

TiO2/多孔g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

沈建超 ;

申乾宏 ;

杨辉 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104209136A ,2014-12-17

[2]

一种新型MXene/TiO2/g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

叶晓云 ;

张玉梅 ;

顾芳晓 ;

王乾廷 ;

吴益凡 ;

陈龙 ;

马立安 ;

刘雪华 ;

陈文哲 .

中国专利 :CN113413902A ,2021-09-21

[3]

一种改性g-C3N4量子点/TiO2纳米线光阳极及其应用 [P].

黄兰艳 ;

王新 ;

陈志鸿 ;

苑明哲 ;

周国富 .

中国专利 :CN107675200B ,2018-02-09

[4]

Ni-NiO/g-C3N4纳米复合材料的制备方法 [P].

张平 ;

方坤 ;

林佳宏 ;

米海刚 ;

韩立娟 ;

安召 .

中国专利 :CN110142059B ,2019-08-20

[5]

g-C3N4复合TiO2纳米线的制备方法 [P].

刘世凯 ;

周淑慧 ;

董浩永 .

中国专利 :CN109772417A ,2019-05-21

[6]

一种g-C3N4/TiO2复合材料及其制备方法和应用 [P].

陈静 ;

高天明 ;

高利军 ;

王赟 ;

谢木标 .

中国专利 :CN110327963A ,2019-10-15

[7]

一种高性能光阳极材料TiO2/g-C3N4光电极薄膜的制备方法 [P].

范晓星 ;

王晓娜 ;

蔡鹤 ;

成祥祥 ;

贾兰 ;

韩宇 ;

王绩伟 .

中国专利 :CN109560169A ,2019-04-02

[8]

一种g-C3N4/Bi2O2CO3纳米片复合材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108927196A ,2018-12-04

[9]

InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104307550A ,2015-01-28

[10]

多孔g-C3N4/AgBr纳米复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

冯宇 ;

沈建超 ;

蔡奇风 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104289244A ,2015-01-21

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