g-C3N4溶胶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711174318.1

申请日：

2017-11-22

公开(公告)号：

CN107954405A

公开(公告)日：

2018-04-24

发明(设计)人：

申乾宏王辉庞雅盛建松吴春春徐江杨辉

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C01B21082

IPC分类号：

B01J1300

代理机构：

杭州中成专利事务所有限公司 33212

代理人：

周世骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-24	公开	公开
2018-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/082 申请日:20171122
2021-01-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 21/082 申请公布日:20180424

共 50 条

[1]

InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104307550A ,2015-01-28

[2]

多孔g-C3N4/AgBr纳米复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

冯宇 ;

沈建超 ;

蔡奇风 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104289244A ,2015-01-21

[3]

多孔g-C3N4半导体材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

蔡奇风 ;

沈建超 ;

冯宇 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104310321A ,2015-01-28

[4]

三维多孔g-C3N4材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104292236A ,2015-01-21

[5]

TiO2/多孔g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

沈建超 ;

申乾宏 ;

杨辉 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104209136A ,2014-12-17

[6]

g-C3N4纳米颗粒/花状BiOI复合材料的制备方法 [P].

申乾宏 ;

尤增宇 ;

于洋 ;

王辉 ;

陈昊 ;

杨辉 .

中国专利 :CN107876074B ,2018-04-06

[7]

一种具有高光催化效率的g-C3N4及其制备方法 [P].

陈颖芝 ;

巩正奇 ;

王鲁宁 ;

姚生莲 .

中国专利 :CN112023973A ,2020-12-04

[8]

g-C3N4/碳量子点复合电极的制备方法 [P].

魏颖 ;

张庆国 ;

刘海超 ;

武宣宇 ;

李美超 ;

刘娟 .

中国专利 :CN103745836A ,2014-04-23

[9]

可见光响应的管状g-C3N4的制备方法 [P].

江润仁 ;

陆光华 ;

周超 ;

包旭辉 ;

徐鑫磊 .

中国专利 :CN110697667A ,2020-01-17

[10]

一种铕掺杂的g-C3N4基半导体材料及其制备方法 [P].

荣铭聪 ;

邓湘舟 .

中国专利 :CN109337679A ,2019-02-15

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