一种大电流的多通道MOSFET管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110666985.1

申请日：

2021-06-16

公开(公告)号：

CN113540248A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

文志军

申请人：

申请人地址：

523430 广东省东莞市寮步镇寮步百业路76号1栋103室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2910

代理机构：

东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400

代理人：

何新华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20211022
2021-10-22	公开	公开
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210616

共 50 条

[1]

一种基于MOSFET管的大电流发生系统 [P].

许守东 ;

郭成 ;

陈勇 ;

李胜男 ;

张丽 ;

杨蕾 ;

韩钰 ;

周鑫 ;

戴云航 ;

孟贤 ;

段锐敏 ;

袁明 ;

何思远 ;

吴远密 ;

姚建忠 .

中国专利 :CN109407035A ,2019-03-01

[2]

大电流多通道金属阴极 [P].

乔彩霞 ;

康小录 ;

薛伟华 ;

杭观荣 ;

张岩 ;

余水淋 ;

梁爽 .

中国专利 :CN106531591A ,2017-03-22

[3]

一种大电流中心滑环的多通道集成结构 [P].

姬凡超 ;

张磊磊 ;

周锡涛 .

中国专利 :CN120978483A ,2025-11-18

[4]

一种低压大电流Mosfet功率模块 [P].

李炘 ;

陈春雨 .

中国专利 :CN214753723U ,2021-11-16

[5]

一种低压大电流Mosfet功率模块 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208623537U ,2019-03-19

[6]

一种低压大电流Mosfet功率芯片 [P].

刘本强 ;

陈翔 .

中国专利 :CN112133680B ,2020-12-25

[7]

一种中压大电流N通道增强型功率MOS管 [P].

董超 ;

辛烨 ;

王安顺 .

中国专利 :CN201904342U ,2011-07-20

[8]

一种用于除冰的多通道大电流脉冲激励电路 [P].

柳庆林 ;

冉林 ;

胡站伟 .

中国专利 :CN113644837A ,2021-11-12

[9]

一种测试插箱大电流多通道继电器插卡 [P].

张勇 .

中国专利 :CN207067347U ,2018-03-02

[10]

一种大电流MOSFET短路测试保护方法 [P].

蒋华杏 ;

李晨曦 ;

杨文 ;

陈志坚 ;

李斌 .

中国专利 :CN120610136A ,2025-09-09

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