磁场强度可调的溅射磁控管装置

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专利类型
发明
申请号
CN02815138.0
申请日
2002-04-05
公开(公告)号
CN1537318B
公开(公告)日
2004-10-13
发明(设计)人
W·C·S·德伯舍 J·-P·莱蒙斯 R·布洛齐 G·戈宾 A·G·J·布朗迪尔
申请人
申请人地址
比利时兹韦弗海姆
IPC主分类号
H01J3734
IPC分类号
C23C1435
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
李玲
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
一种磁控管的磁场强度的调节方法 [P]. 
张伟 ;
王厚工 ;
杨玉杰 ;
郑友山 .
中国专利 :CN104651786B ,2015-05-27
[2]
磁控管溅射用磁场生成装置 [P]. 
栗山义彦 .
中国专利 :CN104919082A ,2015-09-16
[3]
用于磁控管溅射的磁场发生装置 [P]. 
栗山义彦 ;
三田正裕 .
中国专利 :CN103328683B ,2013-09-25
[4]
磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置 [P]. 
太田淳 ;
田口信一郎 ;
杉浦功 ;
谷典明 ;
新井真 ;
清田淳也 .
中国专利 :CN1965101A ,2007-05-16
[5]
溅射磁控管装置 [P]. 
许生 ;
徐升东 ;
庄炳河 ;
郭杏元 .
中国专利 :CN101877300B ,2010-11-03
[6]
磁控管溅射装置 [P]. 
横山政秀 ;
早田博 .
中国专利 :CN1067118C ,1996-04-17
[7]
靶面磁场强度可调节的旋转阴极 [P]. 
文继志 ;
郭江涛 ;
徐和平 .
中国专利 :CN206157219U ,2017-05-10
[8]
磁场产生装置、磁控管阴极及溅射装置 [P]. 
孔为 ;
林子敬 ;
李明 ;
谢斌 ;
王海千 ;
姜友松 ;
长江亦周 .
中国专利 :CN102725435A ,2012-10-10
[9]
磁控管阴极和包括这种磁控管阴极的磁控管溅射装置 [P]. 
瑟吉·Y·纳瓦拉 ;
尤里·N·托尔马彻夫 ;
马东俊 ;
金泰完 .
中国专利 :CN1525519A ,2004-09-01
[10]
磁控管溅射电极与应用磁控管溅射电极的溅射装置 [P]. 
李尚浩 ;
小松孝 ;
中村肇 ;
新井真 ;
清田淳也 ;
谷典明 .
中国专利 :CN1978698B ,2007-06-13