半导体制造装置和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810531504.4

申请日：

2018-05-29

公开(公告)号：

CN108987291B

公开(公告)日：

2018-12-11

发明(设计)人：

高野隆一牧浩五十岚伸之田中裕也

申请人：

申请人地址：

日本山梨县

IPC主分类号：

H01L2152

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;沈静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-11	公开	公开
2022-05-27	授权	授权
2019-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/52 申请日:20180529

共 50 条

[1]

半导体制造装置和半导体器件的制造方法 [P].

牧浩 ;

后藤彻 .

中国专利 :CN108428643B ,2018-08-21

[2]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

大森龙葵 ;

保坂浩二 ;

依田光央 ;

大久保达行 ;

降矢国夫 .

日本专利 :CN117766426A ,2024-03-26

[3]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

高野晴之 ;

牧浩 .

中国专利 :CN109671646A ,2019-04-23

[4]

制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件 [P].

李承宪 ;

金汶浚 ;

高在康 ;

韩太钟 .

中国专利 :CN112086347A ,2020-12-15

[5]

制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件 [P].

李承宪 ;

金汶浚 ;

高在康 ;

韩太钟 .

韩国专利 :CN112086347B ,2025-09-16

[6]

半导体制造装置、半导体制造系统及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

日本专利 :CN119208185A ,2024-12-27

[7]

半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P].

横森刚 ;

大久保达行 ;

名久井勇辉 ;

牧浩 ;

齐藤明 ;

冈本直树 .

日本专利 :CN118448310A ,2024-08-06

[8]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

横森刚 ;

名久井勇辉 .

中国专利 :CN108346585A ,2018-07-31

[9]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

名久井勇辉 ;

冈本直树 ;

齐藤明 ;

横森刚 ;

二宫勇 .

中国专利 :CN108400096A ,2018-08-14

[10]

半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P].

横森刚 ;

大久保达行 ;

名久井勇辉 ;

牧浩 ;

齐藤明 ;

冈本直树 .

中国专利 :CN111739818A ,2020-10-02

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