半导体制造装置及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711090697.6

申请日：

2017-11-08

公开(公告)号：

CN108346585A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

横森刚名久井勇辉

申请人：

申请人地址：

日本山梨县

IPC主分类号：

H01L2152

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/52 申请日:20171108
2021-06-29	授权	授权
2018-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体制造装置、半导体制造系统及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

日本专利 :CN119208185A ,2024-12-27

[2]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

中国专利 :CN109524320A ,2019-03-26

[3]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 .

中国专利 :CN108962784B ,2018-12-07

[4]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

大森龙葵 ;

保坂浩二 ;

依田光央 ;

大久保达行 ;

降矢国夫 .

日本专利 :CN117766426A ,2024-03-26

[5]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

高野晴之 ;

牧浩 .

中国专利 :CN109671646A ,2019-04-23

[6]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

名久井勇辉 ;

齐藤明 ;

小桥英晴 ;

冈本直树 .

日本专利 :CN117594480A ,2024-02-23

[7]

半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P].

牧浩 .

中国专利 :CN108987305A ,2018-12-11

[8]

半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P].

小桥英晴 ;

保坂浩二 ;

松崎由树 .

中国专利 :CN110729210A ,2020-01-24

[9]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

名久井勇辉 ;

冈本直树 ;

齐藤明 ;

横森刚 ;

二宫勇 .

中国专利 :CN108400096A ,2018-08-14

[10]

半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

冈本直树 ;

山上孝 .

中国专利 :CN107818941B ,2018-03-20

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