半导体制造装置及半导体器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310977852.5
申请日
2023-08-04
公开(公告)号
CN117594480A
公开(公告)日
2024-02-23
发明(设计)人
名久井勇辉 齐藤明 小桥英晴 冈本直树
申请人
捷进科技有限公司
申请人地址
日本山梨县
IPC主分类号
H01L21/67
IPC分类号
H01L21/683 H01L21/50
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
陈伟;沈静
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制造装置、半导体制造系统及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
日本专利 :CN119208185A ,2024-12-27
[2]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
横森刚 ;
名久井勇辉 .
中国专利 :CN108346585A ,2018-07-31
[3]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
中国专利 :CN109524320A ,2019-03-26
[4]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
中国专利 :CN108962784B ,2018-12-07
[5]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
大森龙葵 ;
保坂浩二 ;
依田光央 ;
大久保达行 ;
降矢国夫 .
日本专利 :CN117766426A ,2024-03-26
[6]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
高野晴之 ;
牧浩 .
中国专利 :CN109671646A ,2019-04-23
[7]
半导体制造装置、检查装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 ;
内藤大辅 ;
莳田美明 .
日本专利 :CN118645446A ,2024-09-13
[8]
半导体制造装置、涂敷装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
藤森由树 ;
中岛宜久 .
日本专利 :CN119108305A ,2024-12-10
[9]
半导体制造装置和半导体器件的制造方法 [P]. 
牧浩 ;
后藤彻 .
中国专利 :CN108428643B ,2018-08-21
[10]
半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 ;
保坂浩二 .
日本专利 :CN111725086B ,2024-03-12