用于半导体衬底处理的基座

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011145201.2

申请日：

2020-10-23

公开(公告)号：

CN112713117A

公开(公告)日：

2021-04-27

发明(设计)人：

拉提沙奇特 S·K·T·R·穆拉利达尔 S·栾 A·德莫斯 X·林

申请人：

申请人地址：

荷兰，阿尔梅勒

IPC主分类号：

H01L21687

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

王永伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	公开	公开
2022-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/687 申请日:20201023

共 50 条

[1]

用于半导体衬底处理的基座 [P].

拉提沙奇特 ;

S·K·T·R·穆拉利达尔 ;

S·栾 ;

A·德莫斯 ;

X·林 .

:CN120413514A ,2025-08-01

[2]

预防半导体衬底处理中基座上的沉积 [P].

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ;

拉维·韦兰基 ;

盖瑞·B·利德 ;

迈克尔·拉莫 ;

曼朱纳斯·萨蒂亚德万 .

美国专利 :CN120497160A ,2025-08-15

[3]

半导体衬底处理设备 [P].

褚鑫辉 ;

陈新益 ;

杨雪 ;

王志刚 ;

汤剑 ;

王智凯 .

中国专利 :CN118610059A ,2024-09-06

[4]

半导体衬底处理方法 [P].

M·J·塞登 .

美国专利 :CN118969599A ,2024-11-15

[5]

预防半导体衬底处理中基座上的沉积 [P].

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ;

拉维·韦兰基 ;

盖瑞·B·利德 ;

迈克尔·拉莫 ;

曼朱纳斯·萨蒂亚德万 .

美国专利 :CN112534558B ,2025-04-18

[6]

预防半导体衬底处理中基座上的沉积 [P].

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ;

拉维·韦兰基 ;

盖瑞·B·利德 ;

迈克尔·拉莫 ;

曼朱纳斯·萨蒂亚德万 .

中国专利 :CN112534558A ,2021-03-19

[7]

半导体衬底处理方法 [P].

M·J·塞登 .

中国专利 :CN110517947A ,2019-11-29

[8]

半导体衬底处理方法 [P].

M·J·塞登 .

美国专利 :CN110517947B ,2024-08-16

[9]

半导体衬底处理系统的挡板 [P].

埃米尔·查尔斯·德拉佩 .

美国专利 :CN308659296S ,2024-05-28

[10]

半导体衬底处理系统喷头 [P].

曼朱那塔·H·拉克什马纳 ;

肖恩·M·唐纳利 ;

柯蒂斯·W·贝利 ;

特洛伊·戈姆 .

美国专利 :CN309554942S ,2025-10-21

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