预防半导体衬底处理中基座上的沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980051139.X

申请日：

2019-07-25

公开(公告)号：

CN112534558B

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔拉维·韦兰基盖瑞·B·利德迈克尔·拉莫曼朱纳斯·萨蒂亚德万

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/683

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;邱晓敏

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	授权	授权

共 50 条

[1]

预防半导体衬底处理中基座上的沉积 [P].

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ;

拉维·韦兰基 ;

盖瑞·B·利德 ;

迈克尔·拉莫 ;

曼朱纳斯·萨蒂亚德万 .

美国专利 :CN120497160A ,2025-08-15

[2]

预防半导体衬底处理中基座上的沉积 [P].

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ;

拉维·韦兰基 ;

盖瑞·B·利德 ;

迈克尔·拉莫 ;

曼朱纳斯·萨蒂亚德万 .

中国专利 :CN112534558A ,2021-03-19

[3]

用于半导体衬底处理的基座 [P].

拉提沙奇特 ;

S·K·T·R·穆拉利达尔 ;

S·栾 ;

A·德莫斯 ;

X·林 .

中国专利 :CN112713117A ,2021-04-27

[4]

用于半导体衬底处理的基座 [P].

拉提沙奇特 ;

S·K·T·R·穆拉利达尔 ;

S·栾 ;

A·德莫斯 ;

X·林 .

:CN120413514A ,2025-08-01

[5]

半导体衬底处理方法 [P].

M·J·塞登 .

美国专利 :CN118969599A ,2024-11-15

[6]

半导体衬底处理方法 [P].

M·J·塞登 .

中国专利 :CN110517947A ,2019-11-29

[7]

半导体衬底处理方法 [P].

M·J·塞登 .

美国专利 :CN110517947B ,2024-08-16

[8]

半导体衬底处理设备 [P].

褚鑫辉 ;

陈新益 ;

杨雪 ;

王志刚 ;

汤剑 ;

王智凯 .

中国专利 :CN118610059A ,2024-09-06

[9]

半导体衬底处理系统的挡板 [P].

埃米尔·查尔斯·德拉佩 .

美国专利 :CN308659296S ,2024-05-28

[10]

在半导体衬底处理装置中均匀处理半导体衬底的注气法 [P].

詹姆斯·罗格斯 ;

陈志刚 ;

约翰·霍兰德 ;

凯尔·斯波尔丁 .

中国专利 :CN105632914A ,2016-06-01

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