低介电常数氮化硅陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110005595.6

申请日：

2011-01-12

公开(公告)号：

CN102093077A

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

王洪升王重海刘建李伶韦其红程之强高芳栾艺娜

申请人：

申请人地址：

255086 山东省淄博市高新区裕民路258号

IPC主分类号：

C04B3800

IPC分类号：

C04B35584 C04B35622

代理机构：

青岛发思特专利商标代理有限公司 37212

代理人：

马俊荣

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	授权	授权
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096113678 IPC(主分类):C04B 38/00 专利申请号:2011100055956 申请日:20110112
2011-06-15	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅多孔陶瓷材料及其制备方法 [P].

李洋洋 .

中国专利 :CN106478132A ,2017-03-08

[2]

耐磨氮化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

朱明广 ;

张兆泉 ;

张惠卿 ;

孟伟春 ;

王明川 .

中国专利 :CN103922750B ,2014-07-16

[3]

一种氮化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

任书霞 ;

王建雷 ;

李振华 ;

唐灵芝 ;

孙强 ;

杨惠芳 .

中国专利 :CN107651965A ,2018-02-02

[4]

低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

朱建华 ;

雷文 ;

吕文中 ;

梁飞 ;

汪小红 .

中国专利 :CN101050102A ,2007-10-10

[5]

氮化硅陶瓷材料及其制备方法和陶瓷模具 [P].

曾小锋 ;

朱福林 .

中国专利 :CN110330345B ,2019-10-15

[6]

氮化硅陶瓷材料及其制备方法以及应用 [P].

冼锐炜 ;

杨晓冬 ;

张志林 ;

胡创创 ;

陈浩 .

中国专利 :CN120192169A ,2025-06-24

[7]

高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

宁晓山 ;

张洁 ;

滕甫 .

中国专利 :CN101100388A ,2008-01-09

[8]

一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

曾宇平 ;

梁汉琴 ;

左开慧 ;

夏咏锋 ;

姚冬旭 ;

尹金伟 .

中国专利 :CN108203302B ,2018-06-26

[9]

一种多孔氮化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

骆俊廷 ;

郗晨阳 ;

张丽丽 ;

顾勇飞 ;

张春祥 .

中国专利 :CN108892528B ,2018-11-27

[10]

一种低介电常数陶瓷材料及其制备方法 [P].

张军志 ;

杨和成 ;

罗昌宸 .

中国专利 :CN111635226A ,2020-09-08

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