一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611168857.X

申请日：

2016-12-16

公开(公告)号：

CN108203302B

公开(公告)日：

2018-06-26

发明(设计)人：

曾宇平梁汉琴左开慧夏咏锋姚冬旭尹金伟

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C04B35584

IPC分类号：

C04B3564

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

郑优丽;熊子君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-26	公开	公开
2020-08-14	授权	授权
2018-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/584 申请日:20161216

共 50 条

[1]

低介电常数氮化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

王洪升 ;

王重海 ;

刘建 ;

李伶 ;

韦其红 ;

程之强 ;

高芳 ;

栾艺娜 .

中国专利 :CN102093077A ,2011-06-15

[2]

一种低介电常数碳化硅、高性能氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

伍尚华 ;

黄瑶 ;

黄民忠 .

中国专利 :CN113480319B ,2021-10-08

[3]

一种介电常数可调高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

严盛喜 ;

张益勇 ;

李永祥 ;

潘锦 ;

刘志甫 .

中国专利 :CN105601269A ,2016-05-25

[4]

介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩及其制备方法 [P].

王洪升 ;

张萍萍 ;

朱保鑫 ;

韦其红 ;

栾强 ;

盖莹 ;

温广武 .

中国专利 :CN108147834A ,2018-06-12

[5]

一种低介电常数、高强度的氮化硅制备方法 [P].

朱伟 ;

张扬 .

中国专利 :CN114907129A ,2022-08-16

[6]

一种低介电常数氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P].

刘维华 ;

刘付朋 ;

刘庆锋 ;

张风云 ;

杜鹏远 ;

刘佳乐 .

中国专利 :CN120004634B ,2025-08-01

[7]

一种低介电常数氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P].

刘维华 ;

刘付朋 ;

刘庆锋 ;

张凤云 ;

杜鹏远 ;

刘佳乐 .

中国专利 :CN120004634A ,2025-05-16

[8]

低介电常数多层陶瓷基板及其制备方法 [P].

高珊 ;

金华江 ;

李杰 ;

田建强 ;

陈新桥 ;

张晨旭 .

中国专利 :CN120136533A ,2025-06-13

[9]

高介电常数陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

张辉 ;

洪学鹍 ;

孟范成 ;

杨俊峰 ;

袁润章 ;

刘韩星 ;

赵素玲 .

中国专利 :CN1438199A ,2003-08-27

[10]

一种低介电常数、高强度多孔氮化硅透波陶瓷的制备方法 [P].

张健 ;

张大海 ;

王红洁 ;

余娟丽 .

中国专利 :CN101955359A ,2011-01-26

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