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一种低介电常数氮化铝陶瓷基板及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510487018.7
申请日：
2025-04-18
公开(公告)号：
CN120004634B
公开(公告)日：
2025-08-01
发明(设计)人：
刘维华 刘付朋 刘庆锋 张风云 杜鹏远 刘佳乐
申请人：
军瓷电子材料河北有限公司
申请人地址：
054900 河北省邢台市临西县泰山路北侧
IPC主分类号：
C04B35/581
IPC分类号：
C04B35/622 C04B35/638 C04B35/64 C04B35/78
代理机构：
河北向往专利代理有限公司 13162
代理人：
吴瑾
法律状态：
著录事项变更
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-25 著录事项变更 著录事项变更IPC(主分类):C04B 35/581变更事项:发明人变更前:刘维华 刘付朋 刘庆锋 张凤云 杜鹏远 刘佳乐变更后:刘维华 刘付朋 刘庆锋 张风云 杜鹏远 刘佳乐
2025-06-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/581申请日:20250418
2025-08-01 授权 授权
2025-05-16 公开 公开
共 50 条
[1]
一种低介电常数氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘维华 ;
刘付朋 ;
刘庆锋 ;
张凤云 ;
杜鹏远 ;
刘佳乐 .
中国专利 :CN120004634A ,2025-05-16
[2]
低介电常数多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
高珊 ;
金华江 ;
李杰 ;
田建强 ;
陈新桥 ;
张晨旭 .
中国专利 :CN120136533A ,2025-06-13
[3]
低介电常数多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
高珊 ;
金华江 ;
李杰 ;
田建强 ;
陈新桥 ;
张晨旭 .
中国专利 :CN120136533B ,2025-08-26
[4]
抗弯曲氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
高珊 ;
金华江 ;
李杰 ;
陈新桥 ;
梁鹏杰 ;
李磊 ;
张晨旭 .
中国专利 :CN120664881A ,2025-09-19
[5]
一种高强度低介电常数陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
高珊 ;
金华江 ;
李杰 ;
梁鹏杰 ;
李磊 ;
张晨旭 .
中国专利 :CN120965292A ,2025-11-18
[6]
一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
曹永革 ;
麻朝阳 ;
文子诚 .
中国专利 :CN107188568A ,2017-09-22
[7]
一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘庆锋 ;
刘佳乐 ;
刘维华 ;
张风云 ;
杜鹏远 ;
刘付朋 .
中国专利 :CN120698801A ,2025-09-26
[8]
一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘庆锋 ;
刘佳乐 ;
刘维华 ;
张风云 ;
杜鹏远 ;
刘付朋 .
中国专利 :CN120698801B ,2025-11-18
[9]
一种高导热率氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘维华 ;
刘付朋 ;
刘庆锋 ;
张风云 .
中国专利 :CN120208677A ,2025-06-27
[10]
一种高导热率氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘维华 ;
刘付朋 ;
刘庆锋 ;
张风云 .
中国专利 :CN120208677B ,2025-11-14
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