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一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511203141.8
申请日：
2025-08-27
公开(公告)号：
CN120698801B
公开(公告)日：
2025-11-18
发明(设计)人：
刘庆锋 刘佳乐 刘维华 张风云 杜鹏远 刘付朋
申请人：
军瓷电子材料河北有限公司
申请人地址：
054900 河北省邢台市临西县泰山路北侧
IPC主分类号：
C04B35/582
IPC分类号：
C04B35/622 C04B35/81
代理机构：
河北向往专利代理有限公司 13162
代理人：
吴瑾
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-26 公开 公开
2025-11-18 授权 授权
2025-10-17 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/582申请日:20250827
共 50 条
[1]
一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘庆锋 ;
刘佳乐 ;
刘维华 ;
张风云 ;
杜鹏远 ;
刘付朋 .
中国专利 :CN120698801A ,2025-09-26
[2]
一种低介电损耗氮化铝陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
何冬霜 ;
姚相民 ;
马玉琦 ;
蔡德奇 ;
周斌 .
中国专利 :CN115368142A ,2022-11-22
[3]
一种低介电损耗多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
金华江 ;
高珊 ;
李杰 ;
陈新桥 ;
梁鹏杰 ;
田建强 ;
李磊 .
中国专利 :CN119707465A ,2025-03-28
[4]
一种低介电损耗多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
金华江 ;
高珊 ;
李杰 ;
陈新桥 ;
梁鹏杰 ;
田建强 ;
李磊 .
中国专利 :CN119707465B ,2025-06-10
[5]
一种低介电常数氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘维华 ;
刘付朋 ;
刘庆锋 ;
张凤云 ;
杜鹏远 ;
刘佳乐 .
中国专利 :CN120004634A ,2025-05-16
[6]
一种低介电常数氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘维华 ;
刘付朋 ;
刘庆锋 ;
张风云 ;
杜鹏远 ;
刘佳乐 .
中国专利 :CN120004634B ,2025-08-01
[7]
一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
曹永革 ;
麻朝阳 ;
文子诚 .
中国专利 :CN107188568A ,2017-09-22
[8]
一种低介电损耗宽带射频用陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
辜霄 ;
徐锐敏 ;
王志刚 ;
朱华利 ;
延波 .
中国专利 :CN120864870A ,2025-10-31
[9]
抗弯曲氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
高珊 ;
金华江 ;
李杰 ;
陈新桥 ;
梁鹏杰 ;
李磊 ;
张晨旭 .
中国专利 :CN120664881A ,2025-09-19
[10]
一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘维华 ;
刘庆锋 ;
张风云 .
中国专利 :CN118637924B ,2024-10-29
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