一种低介电损耗多层陶瓷基板及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510212856.3
申请日
2025-02-26
公开(公告)号
CN119707465A
公开(公告)日
2025-03-28
发明(设计)人
金华江 高珊 李杰 陈新桥 梁鹏杰 田建强 李磊
申请人
河北鼎瓷电子科技有限公司
申请人地址
050000 河北省石家庄市鹿泉经济开发区符家庄村京赞线以西307国道以北(方台沟以南)
IPC主分类号
C04B35/117
IPC分类号
C04B35/622 C04B35/64 C04B35/632 C04B35/634 H05K1/03 H05K1/02 H05K3/46
代理机构
河北知亦可为专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115
代理人
冯彦磊
法律状态
授权
国省代码
河北省 衡水市
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共 50 条
[1]
一种低介电损耗多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
金华江 ;
高珊 ;
李杰 ;
陈新桥 ;
梁鹏杰 ;
田建强 ;
李磊 .
中国专利 :CN119707465B ,2025-06-10
[2]
一种低介电损耗宽带射频用陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
辜霄 ;
徐锐敏 ;
王志刚 ;
朱华利 ;
延波 .
中国专利 :CN120864870A ,2025-10-31
[3]
一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘庆锋 ;
刘佳乐 ;
刘维华 ;
张风云 ;
杜鹏远 ;
刘付朋 .
中国专利 :CN120698801A ,2025-09-26
[4]
一种低介电损耗氮化铝陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘庆锋 ;
刘佳乐 ;
刘维华 ;
张风云 ;
杜鹏远 ;
刘付朋 .
中国专利 :CN120698801B ,2025-11-18
[5]
低翘曲多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
金华江 ;
高珊 ;
陈新桥 ;
王津 ;
郭子宁 ;
赵沐阳 .
中国专利 :CN120887712A ,2025-11-04
[6]
低翘曲多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
金华江 ;
高珊 ;
陈新桥 ;
王津 ;
郭子宁 ;
赵沐阳 .
中国专利 :CN120887712B ,2025-12-12
[7]
一种高效散热多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
高珊 ;
金华江 ;
李杰 ;
田建强 ;
陈新桥 ;
张晨旭 .
中国专利 :CN119774988A ,2025-04-08
[8]
一种抗弯曲多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
金华江 ;
高珊 ;
王津 ;
郭子宁 ;
赵沐阳 .
中国专利 :CN120423862B ,2025-09-02
[9]
一种抗弯曲多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
金华江 ;
高珊 ;
王津 ;
郭子宁 ;
赵沐阳 .
中国专利 :CN120423862A ,2025-08-05
[10]
一种高效散热多层陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
高珊 ;
金华江 ;
李杰 ;
田建强 ;
陈新桥 ;
张晨旭 .
中国专利 :CN119774988B ,2025-06-13