一种双层中空二氧化硅纳米球及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310296515.6

申请日：

2013-07-12

公开(公告)号：

CN103359746B

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

杜滨阳陈天有聂晶晶范志强

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/18 申请日:20130712 授权公告日:20150401 终止日期:20200712
2015-04-01	授权	授权
2013-10-23	公开	公开
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542130295 IPC(主分类):C01B 33/18 专利申请号:2013102965156 申请日:20130712

共 50 条

[1]

中空二氧化硅纳米球及其制备方法 [P].

杜滨阳 ;

曹峥 ;

李镇冰 ;

梅爱雄 ;

张兴宏 ;

聂晶晶 ;

徐君庭 ;

范志强 .

中国专利 :CN101559950B ,2009-10-21

[2]

一种尺寸与壳层厚度可控的单分散中空二氧化硅纳米球的制备方法 [P].

杜滨阳 ;

陈天有 ;

聂晶晶 ;

范志强 .

中国专利 :CN103359743B ,2013-10-23

[3]

一种中空二氧化硅纳米球的制备方法及其产品 [P].

唐新德 ;

董福营 ;

高敏 ;

杨月青 ;

潘义川 ;

徐大举 ;

胡秀颖 ;

徐静 ;

庞来学 .

中国专利 :CN107265465B ,2017-10-20

[4]

一种中空介孔二氧化硅纳米球的制备方法 [P].

唐新德 ;

杨月青 ;

沈春丽 ;

董福营 ;

潘义川 ;

韩念凤 ;

徐静 ;

庞来学 ;

周德杰 .

中国专利 :CN107140653B ,2017-09-08

[5]

一种中空介孔二氧化硅纳米球的绿色制备方法 [P].

唐新德 ;

沈春丽 ;

董福营 ;

杨月青 ;

扈有志 ;

岳远倩 ;

刘涛 ;

张彩珠 ;

潘义川 .

中国专利 :CN107082432A ,2017-08-22

[6]

一种双层中空二氧化硅纳米绝热材料及其制备方法 [P].

李方贤 ;

杨椰榕 ;

余其俊 ;

韦江雄 ;

胡捷 ;

黄浩良 ;

张同生 ;

肖民 .

中国专利 :CN110156027A ,2019-08-23

[7]

荧光二氧化硅纳米球的制备 [P].

张永昶 .

中国专利 :CN102234507A ,2011-11-09

[8]

一种二氧化硅中空球单层膜及其制备方法 [P].

吴哲 ;

王丹 .

中国专利 :CN108751734B ,2018-11-06

[9]

一种中空二氧化硅微球的制备方法 [P].

刘世权 ;

邱芹 .

中国专利 :CN101817530A ,2010-09-01

[10]

一种介孔中空二氧化硅微球的制备方法 [P].

韩世岩 ;

周军丹 ;

张春雷 ;

姜贵全 ;

景丹 ;

李伟 ;

胡旭 .

中国专利 :CN108275687B ,2018-07-13

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