一种尺寸与壳层厚度可控的单分散中空二氧化硅纳米球的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310296551.2

申请日：

2013-07-12

公开(公告)号：

CN103359743B

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

杜滨阳陈天有聂晶晶范志强

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/12 申请日:20130712 授权公告日:20150729 终止日期:20200712
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542127519 IPC(主分类):C01B 33/12 专利申请号:2013102965512 申请日:20130712
2015-07-29	授权	授权
2013-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种双层中空二氧化硅纳米球及其制备方法 [P].

杜滨阳 ;

陈天有 ;

聂晶晶 ;

范志强 .

中国专利 :CN103359746B ,2013-10-23

[2]

中空二氧化硅纳米球及其制备方法 [P].

杜滨阳 ;

曹峥 ;

李镇冰 ;

梅爱雄 ;

张兴宏 ;

聂晶晶 ;

徐君庭 ;

范志强 .

中国专利 :CN101559950B ,2009-10-21

[3]

一种中空二氧化硅纳米球的制备方法及其产品 [P].

唐新德 ;

董福营 ;

高敏 ;

杨月青 ;

潘义川 ;

徐大举 ;

胡秀颖 ;

徐静 ;

庞来学 .

中国专利 :CN107265465B ,2017-10-20

[4]

单分散中空介孔二氧化硅纳米微球的制备方法 [P].

李垚 ;

熊成佳 ;

徐洪波 ;

赵九蓬 ;

耿洪滨 .

中国专利 :CN105923636A ,2016-09-07

[5]

一种中空介孔二氧化硅纳米球的制备方法 [P].

唐新德 ;

杨月青 ;

沈春丽 ;

董福营 ;

潘义川 ;

韩念凤 ;

徐静 ;

庞来学 ;

周德杰 .

中国专利 :CN107140653B ,2017-09-08

[6]

单分散纳米球形二氧化硅的制备方法及纳米二氧化硅 [P].

熊仕显 ;

蒋绪川 ;

余艾冰 .

中国专利 :CN104211073A ,2014-12-17

[7]

单分散介孔二氧化硅中空纳米微球与制备方法 [P].

许鑫华 ;

吴湘锋 ;

李军伟 ;

郭美卿 ;

逯平 .

中国专利 :CN101857234B ,2010-10-13

[8]

一种中空介孔二氧化硅纳米球的绿色制备方法 [P].

唐新德 ;

沈春丽 ;

董福营 ;

杨月青 ;

扈有志 ;

岳远倩 ;

刘涛 ;

张彩珠 ;

潘义川 .

中国专利 :CN107082432A ,2017-08-22

[9]

一种单分散的中空二氧化硅小球的制备方法 [P].

姜彦 ;

孙旭 ;

何君洁 .

中国专利 :CN105271264A ,2016-01-27

[10]

一种新型绿色的单分散二氧化硅纳米球的制备方法 [P].

柴金岭 ;

孙斌 ;

潘金 .

中国专利 :CN107879348A ,2018-04-06

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